采用氮化镓技术的充电器，在相同体积和输出功率下，温度也会比硅基更低。氮化镓技术可使功率系统设计者达到更高的利用效率，节约了成本、节省了空间。这些优异的材料特性，也是氮化镓在充电器市场如此火爆的原因。深圳银联宝科技快充芯片U8722AH，是20W氮化镓快充芯片首选方案！

20W快充芯片U8722AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW 的超低待机功耗。

20W快充芯片U8722AH的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流可配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。

20W快充芯片U8722AH主要特点：

* 集成 650V E-GaN

* 集成高压启动功能

* 超低启动和工作电流，待机功耗 <30mW

* 谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)

* 集成 EMI 优化技术

* 驱动电流分档配置

* 集成 Boost 供电电路

* 集成完备的保护功能：

VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)

输出过压保护 (OVP)

输入欠压保护 (BOP)

片内过热保护 (OTP)

逐周期电流限制 (OCP)

异常过流保护 (AOCP)

短路保护 (SCP)

过载保护 (OLP)

过流保护 (SOCP)

前沿消隐 (LEB)

CS 管脚开路保护

* 封装类型HSOP-7

20W快充芯片U8722AH采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变，产生噪音。

20W快充芯片U8722AH采用了谷底锁定工作模式，在负载一定的情况下，导通谷底数稳定，系统无噪音。随着负载的逐渐降低，系统导通的谷底个数逐渐增加，当谷底数超过6个时，不再检测谷底电压，系统进入降频工作模式，通过进一步降低开关频率，减小开关损耗，优化系统轻载效率。

随着快充的不断发展，氮化镓技术正成为电力电子应用的热门话题。采用深圳银联宝科技研发生产的氮化镓快充芯片，可集成提供巨大的性能优势并使用GaN简化设计，帮助您更大程度地利用这项技术的优势！