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充电器芯片SF1538DP极大提高了ic利用率

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浏览:- 发布日期:2023-04-04 10:37:34【

充电器芯片SF1538DP内置4ms软启动管脚浮空保护,高效高保护,极大的提高了ic 的利用率,是一颗畅销ic脚位分析如下:

1 RT 此引脚是控制开关频率。

2 VDD 芯片供电脚。

3 FB系统反馈管脚。辅助绕组电压经电阻分压后送至 FB 管脚,用于CV 模式输出电压控制及 CC 模式输出电流控制。

4 CS 电流采样输入脚。

5-6 Drain 内置功率 MOSFET 漏极。

7-8 GND 芯片参考地。

1538.

充电器芯片SF1538DP主要特点:

1、内置高功率MOSFET管,耐压650V

2、可编程外部过温保护OTP

3、专利的“零OCP恢复间隙控制”避免低压启动失败

4、内置软启动,管脚浮空保护

5、超低启动电流

6、内置频率抖动改善EMI

7、内置同步斜率补偿,逐周期电流限制

8、内置前沿消隐

充电器芯片SF1538DP应用场景:

1、手持数码适配器

2、电视/电脑辅助电源

3、手机/平板充电器

4LED驱动电源

5、替代线性电源

副边反馈内置MOS充电器芯片SF1538DP最大输出功率15W,封装DIP-8需要更多详细资料的小伙伴请联系400-778-5088

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