氮化镓是提高功率密度和提高多种应用中电源系统和电源效率的关键一步。在设计中使用GaN的公司数量正在迅速增长。降低功耗和提高效率至关重要。深圳银联宝科技新推出的氮化镓快充芯片U8722DE，是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。

氮化镓快充芯片U8722DE主要特点：

1. 集成高压启动功能

2. 超低启动和工作电流，待机功耗 <30mW

3. 谷底锁定模式， 最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)

4. 集成 EMI 优化技术

5. 驱动电流分档配置

6. 集成 Boost 供电电路

7. 集成完备的保护功能：

VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)

输出过压保护 (OVP)

输入欠压保护 (BOP)

片内过热保护 (OTP)

逐周期电流限制 (OCP)

异常过流保护 (AOCP)

短路保护 (SCP)

过载保护 (OLP)

过流保护 (SOCP)

前沿消隐 (LEB)

CS 管脚开路保护

8. 封装类型 ESOP-7

氮化镓快充芯片U8722DE和昂宝OB2733、南芯SC3055对比，功能更全，负压采样可靠性更高，有BOP，高压启动待机更优、频率更高，可调驱动。BOOST供电能做3.3~20V，SR轻载应力优化。ESOP-7封装比SOP-7 封装尺寸大，同规格散热更好。具体脚位如下：

1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

2 FB P 系统反馈输入管脚

3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚

4 VDD P 芯片供电管脚

5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚

6/7 GND P 芯片参考地

8 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚

氮化镓技术越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心，这些应用还包括HVAC系统、通信电源、光伏逆变器和笔记本电脑充电电源。提前了解深圳银联宝科技氮化镓快充芯片U8722DE，提前把握“芯”风向！