代的集成电路和代晶体管一样，都是锗基电路。

开关电源芯片

但是锗有一些很难解决的问题：比如热稳定性，比如氧化物不致密，比如界面缺陷很多。这些问题导致锗基电路始终走不出实验室，只能在论文里刷刷存在感。
于是研究者们顺着元素周期表向上爬了一格，看中了硅。

硅和锗一比，简直就是半导体界的模范元素。
热稳定性不错，有着致密、高介电常数的氧化物，可以轻易制备出界面缺陷极少的硅-氧化硅界面，地表含量极大，提纯非常容易……
更妙的是，氧化硅不溶于水（氧化锗溶于水），也不溶于大多数的酸，这简直是和印刷电路板的腐蚀印刷技术一拍即合。结合的产物，就是延续今的集成电路平面工艺。

当然，集成电路的工艺精度要求比印刷电路板高了不止一个量级，直接套用印刷电路板的技术自然是不行的。于是集成电路自己发展出了一套光刻-腐蚀（刻蚀）-扩散（注入）-溅射（淀积）的工艺体系，这就是延续今的集成电路平面工艺。

所谓平面工艺，是因为所有工艺步骤都是对整个硅晶圆表面均匀进行，整开关电源芯片个工艺完全是二维图形的操作。

平面工艺制备BJT是有一些困难的：

BJT是PNP（或是NPN）的三层结构，在使用平面工艺制备的时候，如果把三层纵向放，就需要浪费一定的面积给下面两层引出到表面，而且工艺步骤也较复杂。如果三层横向放置，由于BJT的基极（B级）非常薄，以当时的光刻和掺杂精度很难实现。

后工艺界使用的纵向放置来实现BJT，以这个工艺为基础，集成电路进入了TTL（Transistor-Transistor Logic，晶体管-晶体管逻辑电路）时代。

目前为止后一次大的变革，是90年代CMOS（互补金属氧化物半导体）取代了TTL占据了市场主流。

CMOS的基础是MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），前文提到场效应管的历史可以追溯到20年代，但是MOSFET的诞生要等到1960年。新生的MOSFET很快取代了JFET，成为了场效应管的主流。
60年代到90年代，面对如日中天的BJT，MOSFET始终被压制着。主要原因是BJT的电流更大，速度更快，耐压耐击穿更强。虽然MOSFET因为工艺步骤少、占用面积小，所以更便宜一些，但是始终没能占据主流。

不过这将近30年的时间里，集成电路产业跟着戈登·摩尔的预言经历了的疯狂发展。工艺精度每1-2年就要前进一个节点（特征尺寸*0.7）。
随着电路尺寸越来越小，芯片上集成的晶体管越来越多，芯片的功耗和发热已经成了一个非常严峻的问题。这个时候TTL和BJT电路的一个先天劣势就暴露了出来。开关电源芯片

BJT本质上，是一个输入电流控制输出电流，实现电流放大的三端器件。由于输入信号是电流，输入信号消耗功耗。而且BJT的特性和大量使用的电阻负载和偏置以及较高的工作电压，也使得TTL电路的关断漏电和静态功耗很难抑制。

而MOSFET则不同，场效应管是一个通过输入电压控制输出电流的多端器件，它的输入漏电比BJT要小几个数量级。而且MOSFET的沟道电流要小于BJT（这也是MOSFET速度慢的原因之一），关断漏电上抑制非常好。后，CMOS工艺彻底排除了电阻负载，使用PMOS、NMOS互为负载，实现了近乎于0的静态功耗。

CMOS的结构也比TTL更简单，实现成本更低。

功耗和成本上的双重优势，终压倒了TTL那越来越小的性能优势。CMOS占据了集成电路的主流地位。

再之后的发展，更多的是在CMOS的基础上对材料和结构做一点小修小补（双阱工艺、strain、SOI衬底、HK-MG、FIN-FET）来延续摩尔定律。但是硅衬底和CMOS结构两大基础没有再发生变化。