同步整流芯片U7710是一款用于替代 Flyback 副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。

■7.1V 稳压器

在原边MOSFET导通期间，同步整流芯片U7710内部 7.1V 稳压器将从其Drain管脚抽取电流向VDD供电，以使VDD电压恒定在7.1V 左右。基于高频解耦和供电考虑，推荐选取容量为1uF的陶瓷电容作为VDD电容。

■系统启动

系统开机以后，同步整流芯片U7710内部高压 LDO从Drain管脚抽取电流向VDD电容供电。当VDD电压低于欠压保护阈值后（3.1V 典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流MOSFET进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流MOSFET的体二极管实现续流。当VDD电压高于 VDD开启电压后（4V 典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流MOSFET只在副边续流期间才能开通。系统开机以后，芯片内部高压LDO从Drain管脚抽取电流向VDD电容供电。

当 VDD 电压低于欠压保护阈值后（3.1V 典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流 MOSFET 进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流 MOSFET 的体二极管实现续流。当 VDD 电压高于 VDD 开启电压后（4V 典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流 MOSFET 只在副边续流期间才能开通。

■开通阶段

初始阶段同步整流MOSFET处于关闭状态，副边电流经MOSFET体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向Vds电压(<-500mV)。该负向Vds电压远小于同步整流芯片U7710内部MOSFET开启检测阈值，故经过开通延迟（Td_on，约 200ns）后内部MOSFET开通。

■关断阶段

在同步整流MOSFET导通期间，同步整流芯片U7710采样MOSFET漏-源两端电压 (Vds)。当Vds电压高于MOSFET 关断阈值，内部MOSFET将在关断延迟（Td_off，约 60ns）后被关断。

■前沿消隐 (LEB)

在内部同步整流MOSFET开通瞬间，同步整流芯片U7710漏-源(Drain-Source) 之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐电路 (LEB)。在 LEB 时间（约 1us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流MOSFET，直至消隐时间结束。

同步整流芯片U7710支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构，也支持系统断续工作模式(DCM) 和准谐振工作模式 (QR)。集成有VDD欠压保护功能和VDD电压钳位。U7710内置VDD高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电，减低了系统成本。