高性能、副边同步整流芯片U7610是一款用于替代 Flyback 副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。U7610支持High Side和Low Side配置，也支持系统断续工作模式(DCM)和准谐振工作模式(QR)。U7610 集成有VDD欠压保护和VDD电压钳位功能。U7610 内置VDD 高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电，降低了系统成本。对于Low Side 配置的12V系统，增加Vo LDO 供电方式以降低供电损耗。

■VDD HV 自供电模式

在High Side配置和Low Side配置下，将VDD引脚和Vo引脚短接，对地接VDD电容，同步整流芯片U7610处于VDD自供电模式。在原边MOSFET导通期间，IC内部稳压器将从其Drain管脚抽取电流向VDD供电，以使VDD电压维持在恒定值 (典型值7.1V)。基于高频解耦和供电考虑，VDD电容推荐选取容量为1μF的陶瓷电容。

■开通阶段

变压器副边续流阶段开始时，同步整流MOSFET处于关闭状态，副边电流经MOSFET体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向Vds电压(<-500mV)。该负向Vds电压远小于 U7610 内部MOSFET开启检测阈值 (典型值-300mV)，故经过开通延迟(典型值40ns)后内部 MOSFET开通。

■关断阶段

在同步整流MOSFET导通期间，同步整流芯片U7610采样MOSFET漏-源两端电压 (Vds)。当Vds电压高于MOSFET关断阈值(典型值-7mV)，内部MOSFET将在关断延迟(典型值60ns)后被关断。

■Vo LDO 供电模式

在Low Side 配置下，将Vo引脚接输出正极、VDD引脚对地接VDD电容，IC 处于Vo LDO供电模式，Vo通过LDO给VDD供电，有效降低了供电损耗。基于高频解耦和供电考虑，VDD 电容推荐选取容量为1μF的陶瓷电容。

■系统启动

当VDD电压低于欠压保护阈值后(2.8V 典型值)，同步整流芯片U7610进入睡眠模式，同时内部同步整流 MOSFET进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流MOSFET的体二极管实现续流。当VDD 电压高于VDD开启电压后(3.1V 典型值)，芯片开始工作。芯片内部同步整流MOSFET只在副边续流期间才能开通。