集成E-GaN的QR模式PSR反激功率开关电源芯片U8608
开关电源芯片U8608集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.25V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8608通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。如下图所示，通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。
在满载和重载工况下，系统工作在QR工作模式，可以大幅降低系统的开关损耗。芯片根据FB电压值调节谷底个数，同时为了避免系统在临界负载处的FB电压波动导致谷底数跳变，产生噪音，开关电源芯片U8608采用了谷底锁定工作模式，在负载一定的情况下，导通谷底数稳定，系统无噪音。
一旦检测到故障，包含VDD过压保护、过温保护、输入过欠压保护、输出过压保护、异常过流保护等，开关电源芯片U8608立即停止开关动作并进入计时状态，同时VDD电压被高压供电电路钳位到VVDD_REG_ST (典型值 12V)，经过TRECOVERY (典型值 1.3s) 时间后如果故障仍然存在，那么系统将继续重复一个计时动作，如果故障状态消失，系统将重新启动。
开关电源芯片U8608系列还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第四档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。U8608采用峰值电流控制模式，可以自适应的工作在QR和降频工作模式，从而实现全负载功率范围内的效率优化。
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