现在的芯片市场供应较之去年有所好转，但有些品类的芯片供应仍然偏紧，特别是对于有特别要求且成本收紧的项目，依然有很大的需求空间。深圳银联宝科技的负端同步整流芯片U7710&U7711是一款用于替代 Flyback 副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。

负端同步整流芯片U7710&U7711支持“共地”同步整流配置，也支持系统断续工作模式 (DCM) 和准谐振工作模式 (QR)。芯片输出直接给VDD供电，无需辅助绕阻，省略了VDD电容，系统成本降低。芯片内置智能开通检测逻辑防止同步整流误导通。

系统开机以后，负端同步整流芯片U7710&U7711内部高压LDO从Drain管脚抽取电流向 VDD 电容供电。当VDD电压低于欠压保护阈值后（3.2V 典型值），芯片进入睡眠模式，同时内部同步整流MOSFET进入关断状态，副边绕组电流经内部同步整流MOSFET的体二极管实现续流。当VDD电压高于VDD开启电压后（3.4V 典型值），芯片开始工作。芯片内部同步整流MOSFET只在副边续流期间才能开通。

变压器副边续流阶段开始时，同步整流MOSFET处于关闭状态，副边电流经MOSFET体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向Vds电压(<-500mV)。该负向 Vds 电压远小于 U771X 内部MOSFET开启检测阈值，(典型值-200mV), 故经过开通延迟（典型值 20nS）后内部MOSFET开通。在同步整流MOSFET导通期间， 负端同步整流芯片U7710&U7711采样MOSFET漏-源两端电压(Vds)。当Vds电压高于MOSFET关断阈值(典型值-6mV)，内部 MOSFET 将在关断延迟（Td_off，约20ns）后被关断。

在内部同步整流MOSFET开通瞬间，芯片漏源(Drain-Source) 之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，负端同步整流芯片U7710&U7711内部集成有前沿消隐电路 (LEB)。在LEB时间（约 1.12us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流MOSFET，直至消隐时间结束。

负端同步整流芯片U7710&U7711典型应用于反激变换器、充电器中，可做5v2A、5v2.4A，SOP-8封装，量大更优！