在线留言 收藏本站 网站地图 133-1680-5165您好!欢迎来到深圳市银联宝电子科技有限公司官方网站!

热门关键词: 开关电源芯片PD协议芯片电源管理芯片电源ICled驱动芯片led驱动ic无Y电源银联宝电子深圳市银联宝电子银联宝电子有限公司

当前位置首页 » 公司新闻 » 开关电源芯片U6113软驱动结构优化系统EMI性能

开关电源芯片U6113软驱动结构优化系统EMI性能

返回列表 来源: 查看手机网址
扫一扫!开关电源芯片U6113软驱动结构优化系统EMI性能扫一扫!
浏览:- 发布日期:2024-06-18 11:13:26【

开关电源芯片把开关电源所需要的控制逻辑都集成在芯片中,作用当然是简化电路设计、提高可靠性的。开关电源芯片U6113在同一晶元上集成了高压功率MOSFET和控制器。此外,芯片还集成有高压启动电路和无需辅助绕组的电感电流过零检测电路,利用此功能,系统工作在准谐振模式下并且最大程度地简化了系统的设计。

U6113开关电源控制芯片

开关电源芯片U6113内部,只要当内部高压MOSFET关断时,5.8V的稳压器就会从芯片的Drain管脚端抽取一定的电流给VDD电容充电至5.8V;再当内部高压MOSFET导通的时候,5.8V稳压器则停止工作而芯片靠VDD电容提供供电以正常运行。由于芯片的工作电流超低,所以利用从芯片Drain管脚抽取的电流足以使其连续稳定地工作。通常情况下,建议使用1uFVDD电容用以滤除高频噪声和作为芯片供电。

为了保证系统工作在准谐振模式下,开关电源芯片U6113利用检测流经内部高压MOSFET漏极和门极间寄生的米勒电容Crss的电流实现电流过零点的检测。当电感电流续流到零后,电感和高压MOSFET的输出电容开始谐振过程。此过程中MOSFETDrain端电压开始下降 ,同时会有一由地到MOSFET Drain端的负向电流流经Crss电容。反之,当MOFET关断Drain端电压上升时,会有一正向电流流经Crss电容。芯片利用检测到的流经Crss电容的负向电流实现了电感电流过零点的检测。

开关电源芯片U6113是一款内部高度集成的降压型准谐振式(QR-BuckLED照明恒流驱动功率开关芯片工作电流典型值为140uA。如此低的工作电流降低了对于VDD电容大小的要求,同时也可以帮助系统获得更高的效率。U6113设计的软驱动结构的驱动电路优化了系统的EMI性能

推荐阅读

    【本文标签】:开关电源芯片U6113软驱动结构优化系统EMI性能
    【责任编辑】:银联宝版权所有:http://www.szelanpo.com转载请注明出处
    招贤纳士