MOS管是如何驱动电路的优化设计呢？

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浏览：- 发布日期：2018-10-25 16:26:19【大中小】

驱动电路的优化设计包含两部分内容：

一是优的驱动电流、电压的波形；

二是优的驱动电压、电流的大小。

在进行驱动电路优化设计之前，先清楚MOS管的模型、MOS管的开关过程、MOS管的栅极电荷以及MOS管的输入输出电容、跨接电容、等效电容等参数对驱动的影响。

银联宝科技电源IC厂家低压MOS管AP3401是SOT23-3塑料封装P道金属氧化物半导体场效应管，P沟道功率MOSFET 。适用于作负载开关或脉宽调制应用，阻抗值较低。

1、此功率MOSFET是使用银联宝的平面条纹DMOS技术生产的。这的技术已经专门针对小化通态电阻，提供了优越的开关性能好，在雪崩和整流模式下能承受高脉冲。这些适用于率开关电源，有功功率因数校正基于半桥拓扑。

2、RDS(on)=55/70 VGS=12V

3、增强的dv/dt能力

4、快速切换

5、绿色设备可用

3401

产品型号：AP3401

工作方式：4.2A/30V

漏源极电压:30V

栅源电压:±12V

连续漏电流:4.2A/3.5A

脉冲漏电流:30A

操作和储存温度范围：-55℃+150℃

现在知道MOS管的电路怎么去优化设计了吧，希望以上文章能对你有点帮助。银联宝科技新拓展低压mos管，有电源朋友用到这块的，赶紧来联系我们吧。