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SOT23-3封装的N沟道mos管AP2300

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浏览：- 发布日期：2020-03-12 15:53:53【大中小】

MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。
每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。接线时，对于N沟道的电源输入为D，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且增强型、耗尽型的接法基本一样。
银联宝科技MOS管AP2300是一款采用结工艺技术生产的增强型N沟道MOSFET，采用的沟漕道工艺制做，导通阻低RDS(ON) ，开关速度快，低开启电压Vgs，带ESD保护，稳定性好，具有很高的EAS均匀性。
MOS管AP2300的特点及优势：
1.低FOM(Rdson*Qg)高雪崩耐量，100%经过EAS测试
2.低反向恢复电荷，低反向恢复峰值电流
3.抗静电能力
4.符合ROHS标准
MOS管AP2300的产品应用：
1.各类锂电池保护模块
2.手机、平板电脑等便携式数码产品电源管理
3.LED TV等消费电子产品电源
4.电动交通工具控制器
5.不间断电源，逆变器和各类电力电源

6.LED照明

AP2300