同步整流芯片U7710SM可实现更好的效率和散热性能
大部分手机头部厂商一直采用的是大功率适配器,这些大功率手机适配器最常用的仍然是反激式拓扑。然而,通过选择具有理想导通电阻的SR MOSFET,SR解决方案可以实现比传统二极管解决方案更好的效率和散热性能,而这正是大功率适配器设计最关键的需求。今天就给小伙伴们介绍一款常用的同步整流芯片U7710SM。
同步整流芯片U7710SM是一种开关电源的同步整流电路,它集成了N通道MOSFET和驱动电路,用于DCM、QR的同步整流。同步整流能有效降低二次侧整流的功耗,提供高性能的解决方案。U7710SM通过对MOSFETSW-to-GND电压的检测,可以用较少的外部元件输出理想的驱动信号。可为5V输出电压应用提供高性能解决方案。
同步整流芯片U7710SM支持在DCM和准谐振拓扑中运行。在DCM或准谐振拓扑中工作,控制电路以正向模式控制栅极,当MOSFET电流相当低时,控制电路将关闭栅极。当Vcc低于UVLO阈值时,部件处于休眠状态,内部N-MOS将被关闭。U7710SM采用SOP-8封装,引脚名称如下:
1、2、3 GND 芯片地,内置同步整流管源极。
4 VDD 芯片电源输入。
5、6、7、8 SW 内置同步整流管漏极。
U7710SM特性如下:
1. 支持 DCM、QR 控制应用
2. 集成同步整流 MOSFET
3. 最大工作频率 100kHz
4. 30ns 的快速关断总延时
5. 兼容能源之星
6. 50uA 的低静态电流
当同步MOSFET导电时,电流将流过它的体二极管,在体二极管上产生一个负的Vds。因为这个体二极管的电压降比控制电路(-200mV)的打开阈值要小得多,而控制电路(-200mV)随后会打开N-MOS。当Vds升高触发关断阈值(-20mV)时,控制电路将N-MOS门电压在延时约30nS后拉低,同步N-MOS关断后加1.7uS消隐时间,避免因振铃引起误触发。同步整流芯片U7710SM控制电路包含消隐功能。当关断MOSFET时,确保关断状态至少持续约1.7us左右,使得效率大大提高。
同步整流作为目前开关电源输出端整流常用的电路,具有提升效率、减小产品体积等明显优势。同步整流芯片U7710SM在试产中参数验证数据良好,损耗值低,效率值高升。通过电源方案的合理配置,有利提高系统的整体效率!