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U7611X系列同步整流芯片产品效率明显提升

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浏览:- 发布日期:2024-08-07 15:18:15【

同步整流芯片的原理是利用MOSFET管作为开关,控制输出电压的变化。在MOSFET管导通时,能量从输入端流向负载,同时输出电压上升MOSFET管截止时,负载上的电流会产生电感反向电势,反向电势会将能量反馈到输入端,从而提高整个系统的效率。

U7611X系列同步整流芯片是一款带快速关断功能的高性能副边同步整流功率开关,可以替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7611X 内置有VDD高压供电模块,无需辅助绕组供电可稳定工作,系统上支持High SideLow Side配置,兼顾了系统性能和成本。

U7611X系列同步整流芯片的快速关断功能可以帮助功率器件获得较低的电压应力,可支持断续工作模式 (DCM)、准谐振工作模式(QR)及连续工作模式(CCM)。其内部集成有智能的开通检测功能,可以有效防止反激电路中寄生参数振荡引起的同步整流开关误开通。

PCB设计对同步整流的性能会产生显著影响,设计同步整流电路时建议参考规格书内容。包含U7611X系列同步整流芯片、变压器副边引脚和输出滤波电容等。

1. 副边主功率回路Loop1的面积尽可能小。

2. VDD电容推荐使用1μF的贴片陶瓷电容,尽量紧靠ICLoop2的面积尽可能小。

3. HVDrain建议串联30~200Ω的电阻,推荐典型值100Ω。HV检测点位置对CCM应力有影响,HV检测点离Drain引脚越远,CCM应力越小。

4. R1C1构成同步整流开关的RC吸收电路,RC吸收回路Loop3的面积可能小。

5. Drain引脚的PCB散热面积尽可能大。

VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON (典型值4.5V)之前,U7611X系列同步整流芯片处于关机状态。内部Gate智能钳位电路可以保证内置MOSFET不会发生高dv/dt导致的误开通。当VDD电压达到 VDD_ON之后,芯片启动,内部控制电路开始工作,副边绕组电流Is经内置MOSFET的沟道实现续流。当VDD电压低于欠压保护阈值VDD_OFF(典型值 3.3V)后,芯片关机,副边绕组电流Is经内置MOSFET的体二极管实现续流。

U7611X系列同步整流芯片能够实现高效的电能转换,减小能量损耗,并且能够将负载产生的能量反馈到输入端,从而提高效率。可以应用于电源电路、DC-DC变换器等领域,有着广泛的应用前景。

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