智能快充技术的飞速发展和市场的爆火背后其实都少不了GaN的支撑，GaN等第三代功率半导体技术的日益成熟已逐渐成为行业内的技术发展重点。受其影响，目前市场上的智能快充大都在往小型化、大功率化发展，用户的需求也正往多口化方向发展。深圳银联宝科技接连推出多款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式ACDC功率开关快充芯片，市场反馈颇佳！

快充芯片U8723AH是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。U8723AH的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。

快充芯片U8723AH集成有完备的保护功能，包括：VDD欠压保护(UVLO)、VDD过压保护(VDD OVP)、输入过压保护(LOVP)、输入欠压保护(BOP)、输出过压保护(OVP)、输出欠压保护(DEM UVP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、过载保护(OLP)、内置过热保护(OTP)、前沿消隐(LEB)、CS管脚开路保护等。

快充芯片U8723AH系列还集成轻载SR应力优化功能，在驱动电流配置为第一、第二、第三档位时，当芯片工作于轻载模式时，将原边开通速度减半，减小空载时SR的Vds应力过冲。内部集成有软启动功能，在软启动时间TST(典型值5ms)内，电流峰值从最小值逐步增加，避免变压器磁芯饱和，系统每次重启都会伴随一次软启动过程。

快充芯片U8723AH集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV(典型值 6.4V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8723AH通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。

GaN给智能快充芯片领域带来了不少新机会，同时也进入了多个新的应用场景。如何通过GaN更好地发展智能快充来提高充电效率，从而在这个赛道大放异彩，来深圳银联宝科技，携手赛跑！