原边恒流高压启动充电器芯片U7575
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充电器芯片U7575集成了高压启动模块。下图是U7575的一种高压启动电路方式。芯片HV管脚连接到整流桥后的BUS电容上。启动时,芯片内部的高压启动模块使能,内部高压电流源给VDD电容充电。VDD小于2V时,HV供电电流为0.5mA,VDD大于2V时,HV供电电流增加到5mA。VDD电压增加到芯片开启电压12V(典型值)时,芯片开始工作并且芯片工作电流增加到2mA(典型值)。之后VDD电容持续为芯片供电直至输出电压建立后由辅助绕组Na为芯片供电。
充电器芯片U7575利用检测流经外部高压MOSFET漏极和门极间寄生的米勒电容Crss的放电电流实现副边电感电流消磁点的检测。当电感电流续流到零后,电感和高压MOSFET的输出电容开始谐振过程。此过程中MOSFET的Drain端电压开始下降,同时会有一由地到MOSFET Drain端的负向电流流经Crss电容。反之,当MOSFET关断Drain端电压上升时,会有一正向电流流经Crss电容。芯片利用检测到的流经Crss电容的负向电流实现了副边电感电流过零点的检测。
充电器芯片U7575主要特性:
1. 集成高压启动功能
2. 可支持断续模式、连续模式的原边恒流技术
3. ±5%恒流精度;±1%恒压精度
4. 待机功耗<50mW
5. 内置斜波补偿电流模式控制固定
6. 65kHz开关频率频率抖动功能优化EMI
7. 绿色省电模式和打嗝模式工作
8. 超低启动和工作电流
9. 集成自恢复模式的保护功能:VDD欠压保护(VDD UVLO)、VDD过压保护(VDD OVP)、输出过压保护(CS OVP)、短路保护(SCP)、逐周期电流限制、过载保护(OLP)、前沿消隐(LEB)
10. 封装类型 SOP-8
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