快充技术面世以后发展的速度不可不称为神速，不但各种各样的快充如雨后春笋般冒出来，技术的更新换代也非常的快。就比如高通的QC快充，短短的时间内，现在都已经到QC4.0的时代了，我们知道现在QC快充和PD快充是现在的两大主流快充技术。今天我们回顾一下从QC1.0到QC4.0快充技术的发展历程。

早的5V0.5A充电就远远不够看了，然后大家就开始一点点的提升充电器的功率。这个时候高通站出来了，直接搞了个5V2A，就这样QC1.0就出来了。

5V2A充电器芯片U6117SA的特点：

1.效率满足六级能效要求

2.低待机功耗小于75mW

3.原边反馈,内置600V 功率MOSFET

4.QR-PSR控制提高工作效率

5.封装：SOP-8

大屏智能手机还在继续发展，电池续航能力还是跟不上，快充也成为了各大手机厂商的卖点之一，于是QC2.0诞生了。QC2.0打破了常规的5V充电电压，直接提升到了9V/12V/20V，在与QC1.0保持相同2A电流下实现了18W大功率电力传输。

9V2A充电器芯片U6108S的特点：

1带混洗的PWM开关频率固定为65KHz，并修整到较窄的范围。

2.集成电路具有内置的绿色和突发模式控制功能，可实现轻负载和零3.集成了以下功能和保护：欠压锁定（UVLO），VDD过压保护（VDD OVP），逐周期电流限制（OCP），短路负载保护（SLP），过载保护（OLP），片上 热关断（OTP），软启动，VDD钳位等。

4.封装：SOP-8

QC2.0把功率是提上去了，但是出现了两个问题，个是由于电压太高，充电的效率下降了，个是充电时热量太大，于是高通又搞出了个QC3.0。

在QC2.0 9V/12V两档电压基础上，进一步细分电压档，采用的电压智能协商算法以200mV为一档设定电压，低可下探3.6V高电压20V，并且向下兼容QC2.0。然后使用Type-c接口取代原来的MicroUSB接口，大电流也提升到了3A。这样就把效率和充电都提高了，同时也降低了发热率。

现在QC4.0已经出来了，并把功率又提升了28W，兼容USB PD协议，压档继续细分以20mV为一档。

12V3A充电器芯片U6201的特点：

1.恒流控制支持CCM和DCM模式

2.自动补偿输入电压.电感感量变化

3.±5％恒压恒流精度, 快速动态响应控制

4.副边反馈/外驱MOSFET,待机功耗小于75Mw

5.封装：SOT23-6

更多的充电器芯片，找银联宝科技。