怎么区别MOS管的N沟道与P沟道呢？————银联宝电子

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浏览：- 发布日期：2018-10-25 16:12:44【大中小】

1.源极：提供多数载流子（P型-空穴、N型-电子）的来源
2.漏极：接受这些多数载流子的端点
3.栅极：多晶硅组成，NMOSFET时接受正电压，PMOSFET时接受负电压

选择理由

MOSFET-P和MOSFET-N的区别：

1、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；

2、为了能正常工作，NMOS管外加的Vds是正值，开启电压VT也是正值，实际电流方向为流入漏极。

而与NMOS不同，PMOS管外加的Vds是负值，开启电压VT也是负值，实际电流方向为流出漏极。

为什么价格低

N沟道和P沟道MOSFET分为增强型和耗尽型。

N沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 大于等于 VT

可变电阻区与饱和区的界线为 VDS= VGS-VT。

在可变电阻区内：VGS >=VT， VDS <= VGS-VT。

在饱和区内： VGS>=VT， VDS >= VGS-VT。

P沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 小于等于 VT

可变电阻区与饱和区的界线为 VDS= VGS-VT。

在可变电阻区内：VGS <=VT， VDS >= VGS-VT。

银联宝科技NMOS管AP8205A是TSSOP-8塑封封装N沟道双MOS管。采用的沟槽技术，提供较小的导通电阻，低栅极电荷，栅极工作电压低2.5V。

低压MOS管AP8205A适用于电池保护电路，开关电路。

低压MOS管AP8205A电压参数是20V，电流参数是6A，电阻参数是23-28mΩ 。

看到这里应该对mos管N沟槽和P沟槽有一定的了解了吧，银联宝电子是您低压MOS管的平台，我们将为您提供、方便、理想的服务，为您提供实惠的价格。银联宝团队将为您提供合理的建议。