准谐振电路的工作原理基于谐振现象，但其频率响应曲线并不完全达到谐振。准谐振电路通常由一个电感（L）、一个电容（C）和一个开关（如晶体管或MOSFET）组成。开关的周期性开关操作使得电路在接近谐振频率时工作。电源管理ic U6113在同一块晶元上同时集成了高压功率MOSFET和控制器，是带有准谐振式的降压型功率开关器。

在电源管理ic U6113芯片内部，只要当内部高压MOSFET关断时，5.8V的稳压器就会从芯片的Drain管脚端抽取一定的电流给VDD电容充电至5.8V；再当内部高压MOSFET导通的时候，5.8V稳压器则停止工作而芯片靠VDD电容提供供电以正常运行。由于芯片的工作电流超低，所以利用从芯片Drain管脚抽取的电流足以使其连续稳定地工作。通常情况下，建议使用1uF的VDD电容用以滤除高频噪声和作为芯片供电。

为了保证系统工作在准谐振模式下，电源管理ic U6113利用检测流经内部高压MOSFET漏极和门极间寄生的米勒电容Crss的电流实现电流过零点的检测。当电感电流续流到零后，电感和高压MOSFET的输出电容开始谐振过程。此过程中MOSFET的Drain端电压开始下降 ，同时会有一由地到MOSFET Drain端的负向电流流经Crss电容。反之，当MOFET关断Drain端电压上升时，会有一正向电流流经Crss电容。如图所示，芯片利用检测到的流经Crss电容的负向电流实现了电感电流过零点的检测。

CS管脚作为电源管理ic U6113的参考地，同时也用来检测电感电流峰值。当MOSFET导通时，VDD管脚和CS管脚之间的差分电压开始下降，当此差分电压大于峰值电流基准500mV时MOSFET关断。为了避免MOSFET导通瞬间的噪声引起错误检测，芯片设计有典型值为500ns的前沿消隐时间，在此时间内逐周期电流限制比较器停止工作且MOSFET不允许关断。

电源管理ic U6113，内部高度集成的高精度恒流控制电路和完备的保护功能使其适用于LED照明的应用中。工作电流典型值为140uA。如此低的工作电流降低了对于VDD电容大小的要求，同时也可以帮助系统获得更高的效率！