PCB设计对电源的 EMI，ESD 等性能有显著影响，以15W充电器芯片U2313A为例，设计原边回路时建议参考以下的内容。
1. 原边主功率环路(Loop1)的面积应尽可能小，同时走线应尽可能粗以优化效率。
2. RCD吸收回路(Loop2)的面积应尽可能小。
3. VDD电容C3应紧贴芯片，保证VDD回路(Loop3)的面积尽可能小。
4.如Line1所示，辅助绕组应直接连接到输入容的地，以减少ESD能量对于芯片的干扰。
5. 如Line2所示，VDD电容C3及FB下 R5应先连接到芯片的GND管脚，再连接到输入电容的地。
在原边控制技术中，当原边向副边传输能量时，通过采样与副边绕组耦合的辅助绕组电压，得到输出电压反馈信号。15W充电器芯片U2313A内部的电压采样、消磁检测和谐振谷底触发的关键波形。当恒压采样过程结束时,内部的采样保持模块记录下反馈误差并通过内部的误差运算放大器将其放大。原边恒压控制模块利用误差运算放大器的输出实现高精度的恒压输出。芯片内部恒压输出基准为VFB_REF (典型值1.25V)。
当PWM开启时，通过检测FB流出的电流，15W充电器芯片U2313A可以实现线电压的过压及欠压保护。如果FB流出电流大于ILine_OVP (典型值960μA)，IC将触发线电压过压保护；如果FB流出电流小于ILine_BOP(典型值 240μA)，IC将触发欠压保护。通过调整FB上拉电阻R2，可以改变线电压过压保护阈值VOVP和欠压保护阈值VBOP：
