耐高压的MOS管与耐低压的MOS管区别:耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance,定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道,详情参考右侧图片(N沟道耗尽型MOS管)。而P沟道常见的为低压Mos管。
银联宝科技的MOS管9926有哪些优良传统呢?AP9926是性能极高的沟槽N沟道MOSFET,具有很高的单元密度,可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDSON和栅极电荷,AP9926符合RoHS和绿色产品要求,并获得的功能可靠性认证。
AP9926双N沟道MOSFET特征
•低导通电阻
•24/26mΩ@ V GS = 4.5V
•30/35mΩ@ V GS = 2.5V
•低门限电压
•低输入电容
•快速切换速度
•低输入/输出泄漏
•无卤素选项可用
•TrenchFET®功率MOSFET的
•无铅设计/符合RoHS标准
•“绿色”设备
•符合AEC-Q101高可靠性标准
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