电源芯片S1108SA结合了一个专用的电流模式PWM带4A/630V MOSFEET的模式控制器，低待机功率、低功耗、低电磁兼容性和低成本。
电源芯片S1108SA主要特点：
集成 650V MOSFET
±4% 恒流、恒压精度
待机功耗<70mW
多模式原边控制方式
工作无异音
优化的动态响应
可调式线损补偿
集成线电压和负载电压的恒流补偿
集成完善的保护功能
电源芯片S1108SA引脚定义：
1 脚GND 芯片参考地。
2 脚VDD 芯片供电管脚
3 脚FB 反馈输入管脚。闭环控制时连接于光电耦合器相连，此脚位电压决定了 PWM 驱动信号的占空比和 CS 管脚的关断电压。
4 脚CS 电流采样输入管脚
5、6、7、8 脚D 内置功率 MOSFET 漏极。
电源芯片S1108SA适用于12W范围内的离线反激变换器输出功率。S1108SA集成有多种保护功能：VDD 欠压保护 (UVLO)、VDD 过压保护 (OVP)、逐周期限流保护 (OCP)、短路保护 (SLP) 和 VDD箝位等。