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聚焦手机充电器芯片 U6237D 为环保赋能

2022-08-17 10:15:04 

选购新手机时,要注意参数呢?除了拍照、容量、处理器和售价,屏幕、散热等参数值得大家关注。至于手机充电器,需要留意的参数肯定少不了充电器芯片。深圳银联宝科技的充电器芯片U6237D赢得了手机市场的认可,各项数据表现都十分出色

U6237D应用简图

在芯片开始工作之前,充电器芯片U6237D仅消耗典型值为2uA 的启动电流,超低启动电流可以帮助增加启动电阻阻值以达到降低由直流母线流经启动电阻的电流和待机功耗的目的。当VDD 电压超过开启电压(典型值 16.3V),U6237D 开始工作并且芯片工作电流上升到 1mA(典型值)。之后 VDD 电容持续为芯片供电直至输出电压建立后由辅助绕组为芯片供电。

充电器芯片U6237D主要特点

集成 650V MOSFET

支持反激和降压型拓扑应用

反激原边控制(SEL 管脚悬空)

准谐振降压控制 (SEL= GND)

±4% 恒流、恒压精度

待机功耗<70mW

多模式原边控制方式

工作无异音

优化的动态响应

可调式线损补偿

集成线电压和负载电压的恒流补偿

集成完善的保护功能:

短路保护 (SLP)

过温保护 (OTP)

逐周期限流保护 (OCP)

前沿消隐 (LEB)

管脚悬空保护

VDD 过欠压保护和箝位保护

封装形式 DIP-8

充电器芯片U6237D典型功率推荐230VAC24W & 85-265VAC18W,支持准谐振降压型 LED 恒流、恒压输出应用,仅需将 SEL 管脚短接到 GND 管脚即可。

1 VDD 芯片供电脚。

2 CS 电流采样输入脚。

3 FB系统反馈管脚。辅助绕组电压经电阻分压后送至 FB 管脚,用于CV 模式输出电压控制及 CC 模式输出电流控制。

4 GND 芯片参考地。

5-8 Drain 内置功率 MOSFET 漏极。

电子产品的各项参数,最终都是为了让产品拥有更好的体验感。选择深圳银联宝科技的充电器芯片,正向升级质量过硬,服务到位节省成本!

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