目前市面上具备的快充技术看似分门别类，拥有很多派别，但其实归根结底就是增大电压和电流这两种方式。但是比较通用的快充方案就是高电压低电流、低电压高电流这样的分类，不管是高电压还是大电流，终都是依靠提率快充电源开关芯片来提升充电的速度，下面我们就针对这两种主要的方式简单的为大家进行罗列。
高通Quick Charge就是高电压低电流的独立方案，目前率快充芯片技术已经不知不觉来到了Quick Charge 4第四代，从初的QC 1.0仅仅支持高5V/2A的充电功率，到QC 2.0可以兼容5V/9V/12V/20V四档充电电压，并且达到大3A的充电电流水准。而Quick Charge 3.0则是在QC 2.0的基础上进行的改进，以200mV增量为一档，支持3.6V到20V的工作电压动态调节。这样一来，手机厂商就能够根据自家产品的需求调整到佳电压，从而达到预期的电流，提升手机的充电效率。接下来给大家介绍一款当前常见的率快充电源开关芯片U6605D。
U6605D快充电源开关芯片结合了一个专用的电流模式PWM带4A/630V MOSFEET的模式控制器。U6605D快充电源开关芯片、低待机功率低功耗、低电磁兼容性和低成本。适用于12W范围内的离线反激变换器输出功率。U6605D快充电源开关芯片集成有多种保护功能：VDD 欠压保护 (UVLO)、VDD 过压保护 (OVP)、逐周期限流保护 (OCP)、短路保护 (SLP) 和 VDD箝位等。U6605D快充电源开关芯片输出规格为5、9、12-18W，应用于PD/QC市场，VDD-40V max18W。
U6605D快充电源开关芯片主要特点：
集成 650V MOSFET
±4% 恒流、恒压精度
待机功耗<70mW
多模式原边控制方式
工作无异音
优化的动态响应
可调式线损补偿
集成线电压和负载电压的恒流补偿
集成完善的保护功能
据悉，升级版的QC 4.0通过Qualcomm Technologies的平行充电技术Dual Charge，与前代QC 3.0相比，可以增加到高达20%的充电速度提升。除了提升充电速度之外，QC 4.0还实现了更短的充电时间和更高的效率，能在更准确地测量电压、电流和温度的同时，保护电池、系统、线缆和连接器。一方面提升充电速度，一方面保护了电池、充电器等设备。