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基于氮化镓的电源芯片U8722BAS具有更低成本效益

2024-08-22 11:23:35 

GaN是一种改变我们的生活方式,应用前景广泛的特新材料氮化镓技术正在提供更快的开关速度更小的尺寸更高的效率。现在,深圳银联宝科技推出的电源芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关,可以让电源方案拥有更低的成本

电源芯片U8722BAS集成高压启动电路,可获得快速启动功能和超低的工作电流,实现小于30mW的超低待机功耗。U8722BAS的工作频率最高可达220kHz,可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能,可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电电路,非常适用于宽输出电压的应用场景。

电源芯片U8722BAS封装类型ASOP7-T4,管脚说明如下

1 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚

2 FB I 系统反馈输入管脚

3 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测、驱动能力分档判定管脚

4 VDD P 芯片供电管脚

5 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚

6 GND P 芯片参考地

7 DRAIN P 内置高压 GaN FET 漏极、高压启动供电管脚

电源芯片U8722BAS集成高压E-Mode GaN FET,为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率,芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路,驱动电压为VDRV (典型值 6.2V)EMI性能为高频交直流转换器的设计难点,为此U8722BAS通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。通过配置DEM管脚分压电阻值,可以选择不同档位的驱动电流,进而调节GaN FET的开通速度,系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。具体分压电阻值可参照参数表。

电源芯片U8722BAS系列还集成轻载SR应力优化功能,在驱动电流配置为第一、第二、第三档位时,当芯片工作于轻载模式时,将原边开通速度减半,减小空载时SRVds应力过冲。U8722BAS采用峰值电流抖动的方式实现进一步的EMI性能优化,峰值电流抖动幅值最大为±8%。芯片根据输入电压的变化调节抖动幅值,实现EMI优化的基础上进一步优化输出纹波

氮化镓是第三代半导体核心材料之一,具备开关频率高、禁带宽度大、更低的导通电阻等优势,是电子产品的重要材料和元件。深圳银联宝科技氮化镓电源芯片通常被应用于快速充电器、适配器和LED照明驱动等领域,随着方案落地上市和技术的进一步提升,对未来充满信心,诚邀更多小伙伴关注、了解银联宝,期待合作!

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