同步整流可提高效率，同时也能够极大地帮助瞬态负载调节。它为电源预加载提供了一种高效的方法。另外，相比摆动电感，它还拥有更加稳定的控制环路特性。同步整流icU7718是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的低成本、高性能同步整流功率开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。有兴趣的小伙伴可以多了解下！
同步整流icU7718支持High Side和Low Side配置，同时支持系统断续工作模式(DCM)和准谐振工作模式(QR)。内置VDD高压供电模块，无需VDD辅助绕阻供电，简化了外围电路，降低系统成本。U7718内部集成智能开通检测功能,可以有效防止断续工作模式(DCM)中由于Vds振荡引起的SR误开通。
在原边MOSFET导通期间，同步整流ic U7718内部7.1V稳压器将从其Drain管脚抽取电流向VDD供电，以使VDD电压恒定在7.1V左右。基于高频解偶和供电考滤,推荐选取容量为1uF的陶瓷电容作为VDD电容。
变压器副边续流阶段开始时，同步整流MOSFET处于关闭状态，副边电流经MOSFET体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向Vds电压(<-500mV)。该负向Vds电压远小于同步整流icU7718内部MOSFET开启检测阈值, 故经过开通延迟（典型值200nS）后内部MOSFET开通。在同步整流MOSFET导通期间，U7718采样MOSFET漏-源两端电压 (Vds)。当Vds电压高于MOSFET 关断阈值(典型值-6mV)，内部MOSFET将在关断延迟（Td_off，约60ns）后被关断。
同步整流icU7718管脚功能描述：
1、2、3 GND P IC 参考地，同时也是内部功率 MOSFET 的源极
4 VDD P IC 供电脚，
5、6、7、8 Drain I 内置功率 MOSFET 漏极
在内部同步整流MOSFET开通瞬间，芯片漏-源(Drain-Source)之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐电路(LEB)。在LEB时间（约1.12us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流MOSFET，直至消隐时间结束。
同步整流icU7718方案能满足客户高效适配器、反激变换器、充电器的应用，使得电源设计尽可能达到最优化。方案简单有效，成本经济可控，更多实惠请致电400-778-5088！