在选择合适的肖特基之前，对肖特基二极管有一个深入的了解。
肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒（barrier）整流作用，这个接触面称为“金属半导 体结”，其全名应为肖特基势垒二极管，简称为肖特基二极管。
现有肖特基二极管大多数是用硅（Si）半导体材料制作的。20世纪90年代以来，出现了用砷化镓（GaAs）制作SBD。
Si-SBD的特点是：正向压降PN结二极管的UDF低，仅为后者的1/2～1/3；trr约为10 ns数量级；适用于低电压（小于50 V）的功率电子电路中（当电路电压高于100 V以上时，则要选用PIV高的SBD，其正向电阻将增大许多）。
肖特基二极管主要优势：
1：低压降，损耗电压小。
2：开关速度快，损耗小，适用于高频电路。
肖特基二极管主要劣势：
1：反向偏压较低，承受不了过大的反向电压。
2：反向漏电是正温度系数的，当温度升高，IR反向漏电会随之增大（这是设计工作者们容易忽略的参数）。
综上所诉：肖特基二极管适用于高精度、小型化、功能复杂、低能耗、高频率等特点的电路。根据实际电路的特点，进行进一步的选型。
银联宝科技的肖特基二极管选型表：
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