使用频率的大幅度提升给智能手机的技术发展带来了更高的要求，智能快充市场也随之爆火。GaN给智能快充领域带来了不少新机会，同时也进入了多个新的应用场景。深圳银联宝科技新推出集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式PD 30W快速充电器芯片U8722，可以更好的提高充电效率！
PD 30W快速充电器芯片U8722是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。U8722的工作频率最高可达 220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流可配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压 的应用场景。
PD 30W快速充电器芯片U8722主要特点：
&集成 650V E-GaN
&集成高压启动功能
&超低启动和工作电流，待机功耗 <30mW
&谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)
&集成 EMI 优化技术
&驱动电流分档配置
&集成 Boost 供电电路
&封装类型 ESOP-7、HSOP-7
PD 30W快速充电器芯片U8722集成有完备的保护功能，包括：VDD欠压保护(UVLO)、VDD过压保护(VDD OVP)、输入欠压保护(BOP)、输出过压保护(OVP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、过载保护(OLP)、输出过流保护(SOCP)、内置过热保护(OTP)、前沿消隐(LEB)、CS管脚开路保护等。
由于原边功率开关寄生电容、变压器寄生电容和副边整流管反向恢复的原因，功率开关开通瞬间会在采样电阻上产生电压尖刺。为避免驱动信号被错误关闭，PD 30W快速充电器芯片U8722内部集成有前沿消隐功能。在开关管导通之后的TLEB_OCP (典型值 232ns)时间内，峰值电流比较器不会关闭功率开关。在异常过流保护状态下(AOCP)，为保证系统可靠性，当CS管脚电压达到AOCP保护阈值VCS_AOCP( 典型值 -1.2)时， 前沿消隐时间进一步降低到TLEB_AOCP (典型值 131ns)。
PD 30W快速充电器芯片U8722通过DRAIN管脚对母线电压进行采样， 经过内部滤波处理，得到准确的母线电压值，当母线电压值小于BOP保护阈值VBOP (典型值 99V)时，芯片内部的BOP延迟计时使能， 计时时间为TBOP_DELAY (典型值 75ms)，计时结束后触发BOP保护。如果母线电压超过BOP恢复阈值VBOP_RE(典型值 110V)，芯片将重新启动。