为了满足客户高端、高功率密度的要求，深圳银联宝科技推出的同步整流ICU7612，在提高效率的同时，也能够极大地帮助瞬态负载调节，而且拥有更加稳定的控制环路特性，提高了传统降压转换器，以及所有其他能够使用同步整流的拓扑结构的动态性。
同步整流ICU7612是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7612内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支持High Side和LowSide配置，兼顾了系统性能和成本。
同步整流ICU7612PCB 设计建议：
1. 副边主功率回路Loop1的面积尽可能小。
2. VDD 电容推荐使用1μF的贴片陶瓷电容，尽量紧靠IC，Loop2的面积尽可能小。
3. HV 到Drain建议串联30~200Ω的电阻，推荐典型值100Ω。HV检测点位置对CCM应力有影响，HV检测点离Drain引脚越远，CCM应力越小。High Side配置中，建议HV通过R2电阻连接到输出电容的正端。
4. R1和C1构成同步整流开关的RC吸收电路，RC吸收回路Loop3的面积可能小。
5. Drain 引脚的PCB散热面积尽可能大。
6.SOP-8的封装框架与Drain引脚电位相同，芯片切筋后，框架金属有少量暴露，考虑到绝缘要求，外围元器件应与IC本体保持0.2mm以上的绝缘距离。
在VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON (典型值3.8V)之前，同步整流ICU7612处于关机状态。内部Gate智能钳位电路可以保证内置MOSFET不会发生高dv/dt导致的误开通。当VDD电压达到VDD_ON之后，芯片启动，内部控制电路开始工作，副边绕组电流Is经内置MOSFET的沟道实现续流。当VDD电压低于欠压保护阈值VDD_OFF (典型值 3.5V) 后，芯片关机，副边绕组电流Is经内置MOSFET的体二极管实现续流。
同步整流技术就是采用低导通电阻的功率MOS管代替开关变换器快恢复二极管，起整流管的作用，从而达到降低整流损耗，提高效率的目的。搜索深圳银联宝科技，可获取更多同步整流IC及解决方案！