一方面，同步整流技术通过减少电压降实现了更高的效率，这是因为MOSFET在导通状态下的导通阻抗远低于二极管的导通压降。另一方面，减少的电压降还意味着在相同的输出电流条件下，芯片产生的热量也更少，这有利于提升电源的可靠性和寿命。推荐深圳银联宝科技的同步整流icU7715，支持High Side和Low Side配置，适用于PD快充和适配器。
同步整流icU7715电源系统设计需要保证最小续流时间Tdem_min大于LEB时间，否则会产生电流倒灌并有可能引起炸机。确保Tdem_min>120%*LEB，其中20%为设计裕量。最小续流时间的理论公式为:
其中，Vcs_min为原边PWMIC过流保护最小阈值， Rcs为原边采样电阻，Lm为变压器激磁电感感量，Vo_max为最大输出电压，VF为同步整流压降(取0.2V)，Nps为变压器匝比。系统上测试最小续流时间Tdem_min的条件为:
a) 额定输入电压。
b) 最高输出电压。
c) 空载。
d) 如下图所示，测试SR电流的最短持续时间。
在内置MOSFET开通瞬间，同步整流icU7715漏-源(Drain- Source)之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误关断，芯片内部集成有前沿消隐电路(LEB)。在内置MOSFET导通后的一段时间内(TLEB，典型值0.5us)，关断比较器被屏蔽，无法关断同步整流MOSFET，消隐时间结束后芯片再正常检测关断条件。
在内置MOSFET关断瞬间，同步整流icU7715漏-源(Drain- Source)之间会产生电压振荡。为避免此类电压振荡干扰系统正常工作导致芯片误开通，芯片内部设置了最小关断时间(Toff_min，典型值600ns)。在Toff_min内，开通比较器被屏蔽，无法开通同步整流MOSFET，Toff_min结束后芯片再开始检测开通条件。
同步整流芯片作为提升电源转换效率的核心组件，正逐渐成为现代电源设计不可或缺的一部分。深圳银联宝科技同步整流icU7715支持宽范围输出电压应用，特别适用于支持QC、PD等协议的快充领域！