随着DoE六级能效及CoC V5 Tier 2的实施，同步整流取代肖特基已成为大势所趋，银联宝科技同步整流芯片U7711采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，来取代整流二极管以降低整流损耗的，从而提高转换效率，可以提高整个AC-DC的整体效率，并且不存在由肖特基势垒电压而造成的死区电压，降低电源本身发热。
同步整流芯片U7711是一款用于替代Flyback副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。U7711支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构，同时支持系统断续工作模式 (DCM) 和准谐振工作模式 (QR)。内置VDD高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电，降低了系统成本。U7711内部集成有VDD欠压保护功能和VDD电压钳位。
在原边MOSFET导通期间，同步整流芯片U7711内部7.1V稳压器将从其Drain管脚抽取电流向VDD供电，以使VDD电压恒定在7.1V 左右。基于高频解耦和供电考虑，推荐选取容量为1uF的陶瓷电容作为VDD电容。初始阶段同步整流MOSFET处于关闭状态，副边电流经MOSFET体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向Vds电压(<-500mV)。该负向Vds电压远小于U7711内部MOSFET开启检测阈值，故经过开通延迟（Td_on，约200ns）后内部MOSFET开通。
在同步整流 MOSFET 导通期间，同步整流芯片U7711采样MOSFET漏-源两端电压(Vds)。当Vds电压高于MOSFET关断阈值，内部MOSFET将在关断延迟（Td_off，约 60ns）后被关断。在内部同步整流MOSFET开通瞬间，芯片漏-源(Drain-Source) 之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐电路(LEB)。在 LEB时间（约1us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流MOSFET，直至消隐时间结束。
同步整流技术就是大大减少了开关电源输出端的整流损耗，从而提高转换效率，降低电源本身发热。想要了解同步整流芯片的相关资料，联系银联宝科技400-778-5088。