随着六级能效的实施及快速充电技术的普及，同步整流在反激变换器中得到了电源工程师们的广泛应用。同步整流( SR )是采用通态电阻极低的功率MOSFET取代整流二极管以降低损耗的一项新技术。它能提升转换效率，并可利用其二次侧的优势电源指标，符合开关电源小型化、高能效、智能化的发展趋势。介绍这款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关的同步整流芯片U7711给大家！
同步整流芯片U7711是一款用于替代Flyback副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效率。U7711支持“浮地”和“共地”同步整流两种架构，同时支持系统断续工作模式 (DCM) 和准谐振工作模式 (QR)。内置VDD高压供电模块，无需VDD辅助绕组供电，降低了系统成本。U7711内部集成有VDD欠压保护功能和VDD电压钳位。
在原边MOSFET导通期间，同步整流芯片U7711内部7.1V稳压器将从其Drain管脚抽取电流向VDD供电，以使VDD电压恒定在7.1V 左右。基于高频解耦和供电考虑，推荐选取容量为1uF的陶瓷电容作为VDD电容。初始阶段同步整流MOSFET处于关闭状态，副边电流经MOSFET体二极管实现续流，同时在体二极管两端形成一负向Vds电压(<-500mV)。该负向Vds电压远小于U7711内部MOSFET开启检测阈值，故经过开通延迟（Td_on，约200ns）后内部MOSFET开通。
在同步整流 MOSFET 导通期间，同步整流芯片U7711采样MOSFET漏-源两端电压(Vds)。当Vds电压高于MOSFET关断阈值，内部MOSFET将在关断延迟（Td_off，约 60ns）后被关断。在内部同步整流MOSFET开通瞬间，芯片漏-源(Drain-Source) 之间会产生电压尖峰。为避免此类电压尖峰干扰系统正常工作导致芯片误动作，芯片内部集成有前沿消隐电路(LEB)。在 LEB时间（约1us）内，关断比较器被屏蔽，无法关断内部同步整流MOSFET，直至消隐时间结束。
同步整流芯片U7711价格实惠性能稳定，后续供应有保障，技术服务一直在线，欢迎选购！