相信大家都清楚，轻载或空载状态下，开关损耗在转换效率中占主导地位。所以为了降低待机功耗，大部分电源芯片都采取载轻降频的控制方式。而芯片的控制方式可以说是决定待机功耗最重要的一环。氮化镓快充芯片U8765是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。
氮化镓快充芯片U8765主要特性：
&集成高压 E-GaN
&集成高压启动功能
&超低启动和工作电流，待机功耗 <30mW
&谷底锁定模式，最高工作频率两档可调(220kHz，130kHz)
&集成 EMI 优化技术
&驱动电流分档配置
&集成 Boost 供电电路
&集成完备的保护功能：
VDD 过压/欠压保护 (VDD OVP/UVLO)
输出过压保护 (OVP)
输入欠压保护 (BOP)
片内过热保护 (OTP)
逐周期电流限制 (OCP)
异常过流保护 (AOCP)
短路保护 (SCP)
过载保护 (OLP)
过流保护 (SOCP)
前沿消隐 (LEB)
CS 管脚开路保护
&封装类型 ESOP-10W
氮化镓快充芯片U8765的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统EMI性能。芯片内置Boost供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。U8765集成逐周期过流保护功能，在每个功率开关开通周期中，当电流达到OCP阈值VCS_MAX (典型值 -650mV/-600mV)时，功率开关立刻关闭。
氮化镓快充芯片U8765管脚定义：
1 HV P 高压启动管脚
2 DRAIN P GaN FET 漏极引脚
3 Source P GaN FET 源极引脚
4 GND P 芯片参考地
5 CS I/O 电流采样输入、最高频率选择管脚
6 FB I 系统反馈输入管脚
7 DEM I/O 消磁检测、输出 OVP 检测
8 VDD P 芯片供电管脚
9 SW P Boost 电路内置 MOS 的漏极管脚
10 NC -
因为大部分的用电设备都长期工作在待机状态，所以电源除了效率以外，空载或者待机功耗也变得越来越重要了。这不仅因为各种各样的能效标准的执行，也确实很符合实际应用的需求。深圳银联宝科技新推出多款低功耗、低成本氮化镓快充芯片，集成有完备的保护功能，是快速充电器和适配器电源好帮手！