同步整流芯片JSTR9110采用多样化VCC供电技术，在不需要辅助绕组供电的情况下，能保证AC-DC控制器在多种输出电压条件下，芯片VCC供电都会不出现欠压。同步整流芯片JSTR9110当VCC降低到VUVLO2以下时，电路处于睡眠模式，MOSFET不会被打开。在系统上电后的一段时间，由于VCC电压未达到VUVLO1，功率MOSFET不会被打开，完全由功率MOSFET的体二极管进行续流，直到VCC电压超过VUVLO1，芯片开始正常开关。
同步整流芯片JSTR9110特性：
1.兼容DCM、CCM和QR反激转换器
2.输出电压直接供给VCC
3.150uA低静态电流
4.4.5A驱动电流保证MOSFET快速关断
5.支持最大200kHz 开关频率
6.支持低输出电压工作
7.采用SOP8封装形式
同步整流芯片JSTR9110管脚描述：
1.2脚 S 芯片接地管脚（GND）
3 脚VCC电源，VCC 和 GND 之间接电容
4 脚VO检测输出电压，给 VCC 供电
5、6、7、8 脚D 漏极电压检测脚
同步整流芯片JSTR9110应用范围：
l移动设备充电器
l适配器
l反激转换器
同步整流芯片JSTR9110能够支持DCM、CCM和Quasi-Resonant反激转换器，能够提高系统的效率。次级边导通时，电流首先通过功率MOSFET的体二极管，电路检测到功率MOSFET的漏端电压比其源端电压低约0.26V时，立即打开功率MOSFET，降低系统的导通损耗。当Ton超过约400ns时，功率MOSFET驱动的逻辑上拉会关闭，而后线性驱动器介入工作。
当通过功率MOSFET的电流下降使得漏端电压比源端电压低约40mV时，线性驱动器便会通过降低MOSFET的驱动电压VDRIVER使MOSFET的阻抗增大，从而将Drain端电压维持在-40mV左右。当电流接近0时，线性驱动器的调节无法将Drain电压继续维持在-40mV，Drain电压会继续上升。当其电压达到-12mV左右时，芯片会立即通过逻辑将功率MOSFET完全关断。若DRV导通时，VDS>3V则DRV强制关断MOSFET。功率MOSFET关闭后，同步整流芯片JSTR9110需要检测到芯片内部SR端电压达到约6V以上，且持续时间大于0.3us后，才认为是一次有效的原边导通；而后芯片内部SR下降到-0.26V后立刻打开MOS管；如未检测到有效的原边导通，但芯片内部SR仍低于-0.26V，则需要等待大约2us后才打开MOS管,这样可以在一定程度上避免因谐振干扰造成误动作。