深圳市银联宝科技除了提供电源IC,适配器芯片，开关电源芯片，电源管理芯片,等IC系列的方案产品，今天给大家万介绍银联宝科技的充电ICu6215新方案5V2A六级能效充电方案，拥有外围极简、高可靠性、待机、率等优点，备受工程师们青睐。
银联宝科技IC厂家的充电IC u6215集成待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。
充电IC集成同步整流控制器及高雪崩能力MOSFET，用于在高性能AC/DC反激系统中替代次级整流肖特基二极管，提升转换效率，使得系统效率可以满足6级能效标准，并留有足够裕量。
银联宝科技IC厂家充电ICu6215 方案亮点：
外围简洁（节省8颗元件）:u6215节省2颗启动电阻；PN8306M控制技术可实现零外围工作，节省传统SR方案的供电RC滤波，SW侦测电阻，RT电阻，RC吸收等6颗元件。
高可靠性：a.方案三道防线，实现SR与PSR零直通风险；b.芯片HBM ESD大于4kV，latchup电流大于400mA，提高系统安规能力，接触静电高达15kV；c.PSR与SR匹配工作，彻底避免小载采样冲突，异常工况下，SR做好配角，PSR主导所有异常保护。
低待机功耗:u6215内置高压启动，可轻松实现50mW待机功耗。
充电ICu6215应用Q&A ：
Q1:u6215是否需要外并二极管提高稳定性？
A1:u6215产品定位是做好PSR的配角，无需外并二极管
a. u6215的供电欠压保护点(2.8V)低于u6215的输出欠压保护点(3.1V)，异常工况下，u62150主导方案所有保护。
b. u6215内部自适应Ton,min，SR关断点滞后于PN8370M的原边采样点，彻底避免小载不稳定问题。
Q2: u6215如何提高方案的安规能力？
A2:得益于以下设计，VCC脚外挂0.1uF去耦电容，系统静电能力可提高接触15kV
a.u6215内部集成高雪崩能力MOSFET。
b. HBM ESD大于4kV，Latchup电流大于400mA，提高芯片抗异常电压/电流冲击能力。
Q3:充电IC 方案如何避免PSR与SR直通问题？
A3: u6215以三道防线彻底解决直通问题
道：u6215基于面积法的防振铃误开通算法可有效避免SR被振铃干扰误开通。
道：u6215采用专利跳谷底开通算法，PSR开通点与SR振铃可能误开通点相位上错开180度，有效避免直通。
第三道： u6215内部的智能MOSFET上含有电流采样管，即使直通也可快速保护，避免电源损坏。
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