MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢？首先MOS管的大致结构G极、D极、S极。分别G极是栅极，D极漏极，S极是源极。
1.源极：提供多数载流子（P型-空穴、N型-电子）的来源
2.漏极：接受这些多数载流子的端点
3.栅极：多晶硅组成，NMOSFET时接受正电压，PMOSFET时接受负电压
MOSFET-P和MOSFET-N的区别：
1、MOSFET-P是P沟道，MOSFET-N是N沟道；
2、为了能正常工作，NMOS管外加的Vds是正值，开启电压VT也是正值，实际电流方向为流入漏极。
而与NMOS不同，PMOS管外加的Vds是负值，开启电压VT也是负值，实际电流方向为流出漏极。
N沟道和P沟道MOSFET分为增强型和耗尽型。
N沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 大于等于 VT
可变电阻区与饱和区的界线为 VDS= VGS-VT。
在可变电阻区内：VGS >=VT， VDS <= VGS-VT。
在饱和区内： VGS>=VT， VDS >= VGS-VT。
P沟道增加型MOSFET管沟道产生的条件为：VGS 小于等于 VT
可变电阻区与饱和区的界线为 VDS= VGS-VT。
在可变电阻区内：VGS <=VT， VDS >= VGS-VT。
银联宝科技NMOS管AP8205A是TSSOP-8塑封封装N沟道双MOS管。采用的沟槽技术，提供较小的导通电阻，低栅极电荷，栅极工作电压低2.5V。
低压MOS管AP8205A适用于电池保护电路，开关电路。
低压MOS管AP8205A电压参数是20V，电流参数是6A，电阻参数是23-28mΩ。
看到这里应该对mos管N沟槽和P沟槽有一定的了解了吧，银联宝电子是您低压MOS管的平台，我们将为您提供、方便、理想的服务，为您提供实惠的价格。银联宝团队将为您提供合理的建议。
