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: 成本的5V2.4A充电器方案，精简BOM，非标

输入电压：90-265Vac输入
输出功率：12W
QR-PSR控制提高工作效率
待机功耗：<75mW
平均效率：>83.33%,满足六级能效要求
PSR控制模式，无光耦，无431
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: 成本的5V2A充电器方案，精简BOM，可认证

输入电压：90-265Vac输入
输出功率：10W
QR-PSR控制提高工作效率
PSR控制模式，无光耦，无431
待机功耗：<75mW
平均效率：>83.33%,满足六级能效要求
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: 60W系列 12V5A六级能效方案

恒流控制支持CCM和DCM模式
自动补偿输入电压.电感感量变化
±5％恒压恒流精度, 快速动态响应控制
副边反馈/外驱MOSFET,待机功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作频率
启动电流
逐周期电流限制,
内置斜率补偿
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: 12W系列 12V1A能效六级方案

效率满足六级能效要求
低待机功耗小于75mW
原边反馈,内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
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: 10W系列 5V2A六级能效方案

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜75mW。
原边反馈/内置三极管,内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
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: 10W系列 5V2A能效六级方案

原边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
低待机功耗小于75mW
内置600V 功率MOSFET
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: 5W系列 5V1A 能效六级方案

效率满足六级能效要求
低待机功耗小于75mW
内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
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: 5W系列 5V1A能效六级方案

效率满足六级能效要求
内置700V 功率三极管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
内置可编程线损电压补偿
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
原边反馈/内置三极管,内置短路保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
OTP过温保护
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: 副边15W开关电源芯片 U6203D

效率满足六级能效要求
副边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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: 原边12W开关电源芯片TB6806D

效率满足六级能效要求
低待机功耗小于75mW
原边反馈,内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
更多 +

: 原边10W开关电源芯片TB6806SA

原边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
低待机功耗小于75mW
内置600V 功率MOSFET
更多 +

: 原边5W开关电源芯片TB6806S

效率满足六级能效要求
低待机功耗小于75mW
内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
更多 +

: 副边15W开关电源芯片 TB3815

效率满足六级能效要求
副边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
更多 +

: 原边12W开关电源芯片 TB6812

效率满足六级能效要求
原边反馈/内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
更多 +

: 原边6W开关电源芯片 TB5806

效率满足六级能效要求
内置700V 功率三极管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
内置可编程线损电压补偿
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
原边反馈/内置三极管,内置短路保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
OTP过温保护
更多 +

: 原边12W开关电源芯片 TB5812

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜75mW。
原边反馈/内置三极管,内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
更多 +

: 原边13W开关电源芯片 U6773S

效率满足六级能效要求
原边反馈/内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
更多 +

: 12V 1A能效六级方案

效率满足六级能效要求。
内置频率抖动EMI。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
内置专利的线损补偿,提高量产精度。
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: 副边150W开关电源芯片 SF5877

副边反馈/外驱MOSFET,内置软启动
效率满足六级能效
输出过压保护（OVP）电压可外部编程
外部编程过温（OTP）保护
内置拔插头锁存(latch plugoff)保护
管脚浮空保护
启动电流 <>br/内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
内置前沿消隐
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: 原边12W开关电源芯片 U6117D

效率满足六级能效要求
低待机功耗小于70mW
原边反馈,内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
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