- [公司新闻]氮化镓快充电源ic U8722DE优化系统轻载效率2024年05月07日 14:49
- 氮化镓快充电源icU8722DE集成高压E-Mode GaN FET，为了保障GaN FET工作的可靠性和高系统效率，芯片内置了高精度、高可靠性的驱动电路，驱动电压为VDRV (典型值 6.2V)。EMI性能为高频交直流转换器的设计难点，为此U8722DE通过DEM管脚集成了驱动电流分档配置功能。如下图所示，通过配置DEM管脚分压电阻值，可以选择不同档位的驱动电流，进而调节GaN FET的开通速度，系统设计者可以获得最优的EMI性能和系统效率的平衡。不同驱动电流档位的DEM电
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