- [公司新闻]PD快充芯片U8722BAS可减少非必要能效损耗2024年10月31日 10:58
- GaN技术的零反向恢复特性(因为不存在体二极管)导致二极管反向偏置电流没有稳定时间,从而降低了死区损失,提高了效率。GaN的开关频率更高,电流纹波更低,这样就可以减小无源器件的尺寸,从而实现更平滑的电机驱动GaN设计。PD快充芯片U8722BAS是一款集成E-GaN的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路,可获得快速启动功能和超低的工作电流,实现小于30mW的超低待机功耗。 ■集成E-GaN和驱动电流分档功能 PD快充芯片U8722BAS集成高压E-Mo
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