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成本的5V2.4A充电器方案,精简BOM,非标
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输入电压:90-265Vac输入
输出功率:12W
QR-PSR控制提高工作效率
待机功耗:<75mW
平均效率:>83.33%,满足六级能效要求
PSR控制模式,无光耦,无431
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成本的5V2A充电器方案,精简BOM,可认证
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输入电压:90-265Vac输入
输出功率:10W
QR-PSR控制提高工作效率
PSR控制模式,无光耦,无431
待机功耗:<75mW
平均效率:>83.33%,满足六级能效要求
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低压N沟道MOS管AP83T03K TO-252封装
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N沟道MOS
Lnw导通电阻
硅工艺技术
快速切换性能
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P沟道MOS场效应管AP15P03Q DFN3*3
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P沟道功率
极低的EDS(ON)
快速开关
阻抗值较小
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AP120N03K低压MOSTO-252封装
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N沟道MOS管
Lnw导通电阻
快速切换
阻抗值较小
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AP3407增强型低压功率低压MOS管SOT23封装
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P沟道功率
便携式设备负载开关
阻抗值较小
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低压MOS管场效应管AP3010 SOP-8封装 N沟道MOS管现货供应
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SOP-8封装
较小的导通电阻RDS(on)
低栅极电荷,栅极工作电压低
适用于保护电路,开关电路
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低压MOS管 AP3401 SOT23
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SOT23-3塑料封装P道金属氧化物半导体场效应管,P沟道功率MOSFET
适用于作负载开关或脉宽调制应用
阻抗值较低
VDS(V)=-30V ID=-4.2A(VGS=-10V) RDS(ON)<50mΩ(VGS=-10V) RDS(ON)<65mΩ(VGS=-4.5V) RDS(ON)<85mΩ(VGS=-2.5V
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低压MOS管 AP2302 SOT23
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P负载开关
便携式设备负载开关
直流/直流转换器
阻抗值较小
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低压MOS管 AP2300 SOT23
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低导通电阻150°C操作温度
沟槽加工技术,实现极低的通电阻
低导通电阻
快速切换
无铅,符合RoHS要求
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低压MOS AP8205 SOT23-6封装
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采用的沟槽技术
提供较小的导通电阻RDS(on)
低栅极电荷
栅极电压低于2.5V
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非隔离3W开关电源方案U6110
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过热保护(OTP)
VCC欠压闭锁(UVLO)
过载保护(OLP)
短路保护(SCP)等
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PWM 控制功率开关电源芯片U3211
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集成 650V 高压启动电路
多模式控制、无异音工作
支持降压和升降压拓扑
默认 12V 输出(FB 脚悬空)
待机功耗低于 50mW
良好的线性调整率和负载调整率
集成软启动电路
内部保护功能:
过载保护 (OLP)
逐周期电流限制 (OCP)
输出过压保护 (OVP)
VDD 过压、欠压和电压箝位保护
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PWM控制功率开关电源芯片U3210
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集成 650V 高压启动电路
多模式控制、无异音工作
支持降压和升降压拓扑
默认 12V 输出(FB 脚悬空)
待机功耗低于 50mW
良好的线性调整率和负载调整率
集成软启动电路
内部保护功能:
过载保护 (OLP)
逐周期电流限制 (OCP)
输出过压保护 (OVP)
VDD 过压、欠压和电压箝位保护
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副边15W开关电源芯片 U6203D
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效率满足六级能效要求
副边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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副边15W开关电源芯片 TB3815
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效率满足六级能效要求
副边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
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副边65W开关电源芯片 TB3865
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自动补偿输入电压.电感感量变化
±5%恒压恒流精度, 快速动态响应控制
副边反馈/外驱MOSFET,待机功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作频率
启动电流
逐周期电流限制,
内置斜率补偿
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副边90W开关电源芯片TB3890
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频率可外部编程,并内置频率抖动EMI
副边反馈/外驱MOSFET,启动电流
管脚浮空保护
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制,内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP
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U3012(DIP-8)
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内部集成高压功率管宽电压输入电压范围:20V 200V
外接元件少,无需外围补偿网络能达到稳定的动态相应
低功耗与率(可达到 85%)
外接一个小功率电阻可控制峰值电流
固定的震荡频率加一个微调频点以及频率打嗝
封装形式:DIP-8 和 SO-8