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U3012(SOP-8)
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内部集成高压功率管宽电压输入电压范围:20V 200V
外接元件少，无需外围补偿网络能达到稳定的动态相应
低功耗与率（可达到 85%）
外接一个小功率电阻可控制峰值电流
固定的震荡频率加一个微调频点以及频率打嗝
封装形式：DIP-8 和 SOP-8
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原边13W开关电源芯片 U6773S
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效率满足六级能效要求
原边反馈/内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
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开关电源芯片U6113
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±3%LED恒流精度
恒流输出值可调
1%线电压补偿精度
优异地保护功能
过温保护（OTP）
逐周期过流保护（OCP
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PFC肖特基 PFR10L300CTF
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
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霍尔IC FS319
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由霍尔传感器和输出线圈驱动程序组成的1芯片, 应用于单相直流电机
霍尔效应传感器的高灵敏度适用于微型 cpu 冷却器到鼓风机和直流风扇马达
FS319, 高性能集成电路, 是专为单相直流电机电路
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副边15W开关电源芯片 SF1539HT
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内置600V功率MOSFET
可编程外部过温保护OTP
专利的“零OCP恢复间隙控制”避免低压启动失败
副边反馈/内置MOSFET,内置4ms软启动
管脚浮空保护
启动电流
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿实现全电压平坦OCP曲线
内置前沿消隐
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副边15W开关电源芯片 SF1539
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内置600V功率MOSFET
可编程外部过温保护OTP
专利的“零OCP恢复间隙控制”避免低压启动失败
内置4ms软启动
管脚浮空保护
启动电流
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿实现全电压平坦OCP曲线
副边反馈/内置MOSFET,内置前沿消隐
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副边15W开关电源芯片 SF1538
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副边反馈/内置600V功率MOSFET
可编程外部过温保护OTP
专利的“零OCP恢复间隙控制”避免低压启动失败
内置4ms软启动
管脚浮空保护
启动电流
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿实现全电压平坦OCP曲线
内置前沿消隐
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原边15W开关电源芯片 SF5928S
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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原边9W开关电源芯片 SF5926S
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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原边6W开关电源芯片 SF5922S
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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副边50W开关电源芯片 SF1530
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副边反馈/外驱MOSFET,管脚浮空保护
系统频率可编程，并内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
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副边25W开关电源芯片 SF5930
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒压恒流精度
快速动态响应，大小减小输出纹波
支持输出电压大小50V
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
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副边25W开关电源芯片 SF5920
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专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒压恒流精度
快速动态响应，大小减小输出纹波
支持输出电压大小50V
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
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PFC肖特基 PTR30L80CTF
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开
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PFC肖特基 PFR30L60CTF
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
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原边12W开关电源芯片 U6315
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜70mW。
原边反馈/内置三极管,内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
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副边65W开关电源芯片 SF5533
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副边反馈/外驱MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
无异音OCP补偿低压重载异音
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
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原边15W开关电源芯片 SF5938S
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效率满足六级能效要求
原边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置反馈脚(FB)短路保护
内置专利的线损补偿,提高量产精度
内置快速动态响应控制
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
支持高50V 输出电压
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