- [关于产品]绿色节能电源芯片TB6806S ，为节约美德打call2018年09月11日 10:56
- 银联宝致力于面向绿色节能电源管理的半导体产品的开发与制造, 推出了一系列采用其自主开发的技术的绿色电源控制芯片，这些芯片可广泛应用于消费电子产品与家电产品上的各类开关电源，其中TB6806S就是其中的一款。 电源芯片TB6806S是一款原边反馈准谐振模式的AC/DC电源控制芯片，内部集成了600V的高压功率MOS管，用于充电器，适配器和LED驱动领域。实现±4%的恒压恒流精度和小余70mW的待机功耗。在恒压模式下内置了线电压补偿功能。采用准谐振控制，实现率和
- 阅读（79）
- [常见问题]9926mos管SOP-8双N沟道2.5-V（G-S）低压MOSFET2018年08月22日 11:18
- 9926 mos管产品概要： 9926mos管是性能极高的沟槽N沟道MOSFET，具有很高的单元密度，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的RDSON和栅极电荷，9926符合RoHS和绿色产品要求，并获得的功能可靠性认证。 9926双N沟道MOSFET特征： 低导通电阻 24mΩ@ V GS = 4.5V 29mΩ@ V GS = 2.5V 37mΩ@ V GS = 1.8V 低门限电压 低输入电容 快速切换速度 低输入/输出泄漏 无卤素选项可用 TrenchFE
- 阅读（149）
- [关于产品]5V1A低成本率的充电器方案U6117S2018年08月21日 17:17
- 5V1A低成本率的充电器方案U6117S 深圳银联宝电子近期推出了低成本，小体积的5V1A充电器方案-U6117S，此款芯片是银联宝科技提供的。该方案在满足了平均效率达到能效6级，可过EMI,原边反馈，省去了431和光耦，节省成本，无需外部补偿电容，同时还具备了短路保护、过压保护和开环保护等保护功能，是一款综合性能指标优异性价比高的5V 1A充电器方案。 充电器方案U6117S是一款原边反馈准谐振模式的AC/DC电源控制芯片，内部集成了600V的高压功率MOS管，用于充
- 阅读（64）
- [行业新闻]银联宝同步整流芯片TB8520在电源方案中起到重要作用2018年04月27日 14:21
- 同步整流芯片TB8520 同步整流定义广泛，过去的电刷式直流发电机、电刷式变电器都算同步整流，现在的同步整流主要是指以MOS、IGBT为核心的开关电源整流电路，特征就是开关（开关晶体管、MOS管）的动作与流经的电流相位一致（同步）；譬如某个晶体管总在变压器输出正半周时导通，负半周截止，这就实现了同步整流。 与二极管整流不同，MOS、晶体管导通时其通路压降近乎为0V，因而发热量极小。这是任何二极管都无法比拟的，即便是效率高的肖特基二极管（只有半个PN结），压降也有
- 阅读（73）
- [行业新闻]15W开关电源芯片TB3815各脚的功能2018年01月02日 11:26
- 开关电源芯片TB3815各脚的功能以及调试中注意事项：1.VDD供电脚：TB3815 的启动电流低1uA，可有效地减少系统启动电路的损耗，减小待机功耗。启动阈值电压13.6V 关断阈值电压7.6V，OVP电压为30V。建议在调试计算中VCC辅助绕组电压一般设置在20V内， VCC电解推荐为10uF。2.CS原边电流采样端：CS端是原边电流采样端，峰值电流预检测阈值是580Mv。当MOS管打开时，过冲电流会产生在采样电阻上。为了避免开关误操作，芯片内置了一个前沿消隐LEB时间
- 阅读（46）
- [行业新闻]能效6级开关电源芯片2017年10月31日 08:56
- 相信电子界的许多工程师都在重视6级能效的电源驱动IC，现在市面上许多家都说有推出6级能效的电源驱动IC，跟着充电器六级能效规范的施行，其计划需求日益火急，许多充电器工程师反映QR架构计划尽管效率余量更大，但比照PSR计划的元件更多，调试出产更杂乱。故银联宝电子引入了六级能效电源驱动IC,比QR架构更简练更经济，提供给国内本钱压力大的充电器厂商一个六级能效电源驱动IC新挑选。 银联宝电子的6级能效电源驱动IC特性，外挂MOS管，为贴片SOT23-6封装，全电压输入，大功
- 阅读（49）
- [行业新闻]5V开关电源芯片怎么选MOS管？2017年07月29日 11:28
- 准确挑选MOS管是很主要的一个环节，MOS管挑选欠好有也许影响到全部电路的功率和成本，了解不一样的MOS管部件的细微差别及不一样开关电路中的应力可以帮助工程师防止许多疑问，5V开关电源芯片怎么选MOS管，下面咱们来学习一下MOS管的准确挑选方法。免费咨询电话：400-778-5088
- 阅读（172）
- [常见问题]LED驱动芯片有哪五大调试技术？2017年03月03日 09:14
- 这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0。6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的大电流来自于驱动功率mos管的消耗，简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf)，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，想办法降低c、v和f。如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑更好的散热吧。
- 阅读（310）
电 话：133-1680-5165 Q Q：1957650001
传 真：0755-23086550 邮 箱：001@elanpo.com
地址：广东省深圳市宝安区宝安大道4018号华丰国际商务大厦2501-2508
银联宝手机
招贤纳士
