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: 副边150W开关电源芯片 SF5877

副边反馈/外驱MOSFET,内置软启动
效率满足六级能效
输出过压保护（OVP）电压可外部编程
外部编程过温（OTP）保护
内置拔插头锁存(latch plugoff)保护
管脚浮空保护
启动电流 <>br/内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
内置前沿消隐
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: 原边12W开关电源芯片 U6117D

效率满足六级能效要求
低待机功耗小于70mW
原边反馈,内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
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: 原边6W开关电源芯片 SF6772S

效率满足六级能效要求
内置反馈脚（FB）电路保护
原边反馈/内置MOSFET,±5%恒压恒流精度
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
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: 副边15W开关电源芯片 SF1539HT

内置600V功率MOSFET
可编程外部过温保护OTP
专利的“零OCP恢复间隙控制”避免低压启动失败
副边反馈/内置MOSFET,内置4ms软启动
管脚浮空保护
启动电流
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿实现全电压平坦OCP曲线
内置前沿消隐
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: 副边15W开关电源芯片 SF1539

内置600V功率MOSFET
可编程外部过温保护OTP
专利的“零OCP恢复间隙控制”避免低压启动失败
内置4ms软启动
管脚浮空保护
启动电流
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿实现全电压平坦OCP曲线
副边反馈/内置MOSFET,内置前沿消隐
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: 副边15W开关电源芯片 SF1538

副边反馈/内置600V功率MOSFET
可编程外部过温保护OTP
专利的“零OCP恢复间隙控制”避免低压启动失败
内置4ms软启动
管脚浮空保护
启动电流
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿实现全电压平坦OCP曲线
内置前沿消隐
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: 原边15W开关电源芯片 SF5928S

专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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: 原边9W开关电源芯片 SF5926S

专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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: 原边6W开关电源芯片 SF5922S

专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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: 副边150W开关电源芯片 SF1565

频率可外部编程，并内置频率抖动EMI
副边反馈/外驱MOSFET,启动电流
管脚浮空保护
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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: 副边150W开关电源芯片 SF1560

频率可外部编程，并内置频率抖动EMI
副边反馈/外驱MOSFET,启动电流
管脚浮空保护
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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: 副边150W开关电源芯片 SF5897

满足六级能效
副边反馈/外驱MOSFET,内置软启动
输出过压保护（OVP）电压可外部编程
内置拔插头锁存(latch plugoff)保护
管脚浮空保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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: 副边70W开关电源芯片 SF5887

副边反馈/外驱MOSFET,内置软启动
效率满足六级能效
输出过压保护（OVP）电压可外部编程
外部编程过温（OTP）保护
内置拔插头锁存(latch plugoff)保护
管脚浮空保护
启动电流
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
内置前沿消隐
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: 副边50W开关电源芯片 SF1530

副边反馈/外驱MOSFET,管脚浮空保护
系统频率可编程，并内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
更多 +

: 原边10W开关电源芯片 U6117SA

原边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
低待机功耗小于70mW
内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
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: 原边25W开关电源芯片 SF6771T

原边反馈/外置MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
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: 副边60W开关电源芯片 U6201

恒流控制支持CCM和DCM模式
自动补偿输入电压.电感感量变化
±5％恒压恒流精度, 快速动态响应控制
副边反馈/外驱MOSFET,待机功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作频率
启动电流
逐周期电流限制,
内置斜率补偿
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: 原边6W开关电源芯片 U6117S

效率满足六级能效要求
低待机功耗小于70mW
内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
内置快速动态响应控制，无异音工作
内置可编程线损电压补偿
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
原边反馈/内置MOSFET,内置短路保护
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: 副边65W开关电源芯片 SF5533

副边反馈/外驱MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
无异音OCP补偿低压重载异音
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
更多 +

: 副边18W开关电源芯片 SF5549H

副边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
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