全站搜索 - - 电源ic，ic厂家，开关电源芯片，PD协议芯片，成品电源方案-银联宝

热门关键词： 电源ic PD协议芯片开关电源芯片电源管理芯片电源IC 充电器芯片适配器方案肖特基二极管 MOS管 MOS管 AP3401 SOT23

当前位置：首页 » 全站搜索 » 搜索：

: PFC肖特基 PFR30L60CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 P5L45F-A

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFR2060CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PTR20100CTB

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PTR20L100CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PT20L100D

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFR20V45CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFS5L200

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFS5L150

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PTR10100CTB

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFS5L40

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: 原边25W开关电源芯片 SF6771T

原边反馈/外置MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
更多 +

: 副边60W开关电源芯片 U6201

恒流控制支持CCM和DCM模式
自动补偿输入电压.电感感量变化
±5％恒压恒流精度, 快速动态响应控制
副边反馈/外驱MOSFET,待机功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作频率
启动电流
逐周期电流限制,
内置斜率补偿
更多 +

: 原边6W开关电源芯片 U6117S

效率满足六级能效要求
低待机功耗小于70mW
内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
内置快速动态响应控制，无异音工作
内置可编程线损电压补偿
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
原边反馈/内置MOSFET,内置短路保护
更多 +

: 原边12W开关电源芯片 U6315

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜70mW。
原边反馈/内置三极管,内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
更多 +

: 原边6W开关电源芯片 U6215

效率满足六级能效要求
内置700V 功率三极管
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
内置可编程线损电压补偿
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
原边反馈/内置三极管,内置短路保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
OTP过温保护
更多 +

: 副边65W开关电源芯片 SF5533

副边反馈/外驱MOSFET
效率满足六级能效要求
优化降频技术提率
无异音OCP补偿低压重载异音
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
内置频率抖动EMI
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置同步斜率补偿. 逐周期电流限制, 内置前沿消隐
更多 +

: 副边18W开关电源芯片 SF5549H

副边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
内置650V 功率MOSFET
内置65KHz 工作频率
零OCP恢复间隙控制避免低压启动失败
电流启动
内置4mS软启动, 管脚浮空保护
内置频率抖动EMI
更多 +

: 原边5W开关电源芯片 SF6022

效率满足六级能效要求
原边反馈/内置反馈脚(FB)短路保护
±4％恒压恒流精度，支持高50V 输出电压
内置快速动态响应控制，无异音工作，
内置专利的线损电压补偿，提高量产精度
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
零电压带载启动减小OCP恢复间隙
VDD欠压保护（UVLO）,过压保护及钳位
更多 +

: 原边15W开关电源芯片 SF5938S

效率满足六级能效要求
原边反馈/内置600V 功率MOSFET
内置反馈脚(FB)短路保护
内置专利的线损补偿,提高量产精度
内置快速动态响应控制
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
内置软启动,启动电流,管脚浮空保护
逐周期电流限制, 内置前沿消隐
支持高50V 输出电压
更多 +

记录总数：4873 | 页数：244 首页上一页 <... 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 ...> 下一页尾页

相关搜索

热点聚焦

银联宝--抢战先机，稳抓货源: 由于全球终端市场的嬗变...

银联宝

关于银联宝电源方案功率系列电源芯片合作品牌专利技术新闻资讯联系银联宝网站地图

电话：133-1680-5165　　　　Q Q：1957650001

传真：0755-23086550　邮箱：001@elanpo.com

地址：广东省深圳市宝安区宝安大道4018号华丰国际商务大厦2501-2508

银联宝手机

　网站制作：开关电源芯片 深圳市银联宝电子科技有限公司　　　版权所有　　　备案号：粤ICP备11084206号

招贤纳士