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低压N沟道MOS管AP83T03K TO-252封装
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N沟道MOS
Lnw导通电阻
硅工艺技术
快速切换性能
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P沟道MOS场效应管AP15P03Q DFN3*3
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P沟道功率
极低的EDS（ON）
快速开关
阻抗值较小
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低压MOS管AP75N04K N沟道to-252
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N通道增强模式
便携式设备负载开关
良好的活性氧
阻抗值较小
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AP120N03K低压MOSTO-252封装
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N沟道MOS管
Lnw导通电阻
快速切换
阻抗值较小
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AP3407增强型低压功率低压MOS管SOT23封装
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P沟道功率
便携式设备负载开关
阻抗值较小
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低压MOS场效应管AP2080KTO-252封装
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2.5V门禁驱动
便携式设备负载开关
体积小，活性氧含量极低
阻抗值较小
符合RoSH和无卤
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锂电池保护板低压MOSAP8810 双N沟道 SOP-8封装
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P负载开关
便携式设备负载开关
直流/直流转换器
阻抗值较小
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低压MOS管场效应管AP3010 SOP-8封装 N沟道MOS管现货供应
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SOP-8封装
较小的导通电阻RDS（on）
低栅极电荷，栅极工作电压低
适用于保护电路，开关电路
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低压MOS管 AP8205A TSSOP8
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双N沟道TSSOP8薄体，密脚的
较小的导通电阻RDS（on）
低栅极电荷，栅极工作电压低2.5V
适用于保护电路，开关电路
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低压MOS管 AP3401 SOT23
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SOT23-3塑料封装P道金属氧化物半导体场效应管，P沟道功率MOSFET
适用于作负载开关或脉宽调制应用
阻抗值较低
VDS（V）=-30V ID=-4.2A（VGS=-10V） RDS(ON)＜50mΩ（VGS=-10V） RDS(ON)＜65mΩ（VGS=-4.5V） RDS(ON)＜85mΩ（VGS=-2.5V
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低压MOS管 AP2302 SOT23
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P负载开关
便携式设备负载开关
直流/直流转换器
阻抗值较小
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低压MOS管 AP2300 SOT23
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低导通电阻150°C操作温度
沟槽加工技术，实现极低的通电阻
低导通电阻
快速切换
无铅，符合RoHS要求
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低压MOS AP8205 SOT23-6封装
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采用的沟槽技术
提供较小的导通电阻RDS（on）
低栅极电荷
栅极电压低于2.5V
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高集成度电动车控制器电源芯片TB1211
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集成 650V 高压启动电路
多模式控制、无异音工作
支持降压和升降压拓扑
默认 12V 输出（FB 脚悬空）
待机功耗低于 50mW
良好的线性调整率和负载调整率
集成软启动电路
内部保护功能：
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高集成度电动车控制器电源芯片TB1201
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集成 650V 高压启动电路
多模式控制、无异音工作
支持降压和升降压拓扑
默认 12V 输出（FB 脚悬空）
待机功耗低于 50mW
良好的线性调整率和负载调整率
集成软启动电路
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高集成度电动车控制器电源芯片TB1212
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外接元件少，无需外围补偿网络能达到稳定的动态相应
低功耗与率（可达到 85%）
外接一个小功率电阻可控制峰值电流
固定的震荡频率加一个微调频点以及频率打嗝
频率抖动技术很好的解决了 EMI 的安规要求
逐周期电流保护检测
具有过载保护，短路保护，欠压保护，过压保护等全应用保护
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5V2.4A同步整流芯片TB8521
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●工作在非连续模式(DCM)的次级同步整流控制器
●内部集成高性能N 沟道 MOSFE
●超快速开管能力的驱动电路
●启动及静态工作电流
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5V2A同步整流芯片TB8520
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●工作在非连续模式(DCM)的次级同步整流控制器
●内部集成高性能N 沟道 MOSFE
●超快速开管能力的驱动电路
●启动及静态工作电流
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非隔离3W开关电源方案U6110
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过热保护（OTP）
VCC欠压闭锁（UVLO）
过载保护（OLP）
短路保护（SCP）等
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PWM 控制功率开关电源芯片U3211
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集成 650V 高压启动电路
多模式控制、无异音工作
支持降压和升降压拓扑
默认 12V 输出（FB 脚悬空）
待机功耗低于 50mW
良好的线性调整率和负载调整率
集成软启动电路
内部保护功能：
过载保护 (OLP)
逐周期电流限制 (OCP)
输出过压保护 (OVP)
VDD 过压、欠压和电压箝位保护
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