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: 原边12W开关电源芯片 TB5812

QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜75mW。
原边反馈/内置三极管,内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
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: 副边75W开关电源芯片U6101D

频率可外部编程，并内置频率抖动EMI
副边反馈/外驱MOSFET,启动电流
管脚浮空保护
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP
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: 副边75W开关电源芯片U6101S

频率可外部编程，并内置频率抖动EMI
副边反馈/外驱MOSFET,启动电流
管脚浮空保护
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP
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: U321

静态工作电流、过载保护 (OLP/ )/ 短路保护
高压启动电路和待机功耗（ <50mW ）
逐周期峰值电流限制和前沿消隐、软驱动电路
多模式 PWM 控制、软启动、输出过压保护（ OVP ）
异常过流保护（ AOCP ）、VDD过压保护 (OVP)
过热保护、优化的动态响、可闻噪音
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: U3012(DIP-8)

内部集成高压功率管宽电压输入电压范围:20V 200V
外接元件少，无需外围补偿网络能达到稳定的动态相应
低功耗与率（可达到 85%）
外接一个小功率电阻可控制峰值电流
固定的震荡频率加一个微调频点以及频率打嗝
封装形式：DIP-8 和 SO-8
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: U3012(SOP-8)

内部集成高压功率管宽电压输入电压范围:20V 200V
外接元件少，无需外围补偿网络能达到稳定的动态相应
低功耗与率（可达到 85%）
外接一个小功率电阻可控制峰值电流
固定的震荡频率加一个微调频点以及频率打嗝
封装形式：DIP-8 和 SOP-8
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: 原边13W开关电源芯片 U6773S

效率满足六级能效要求
原边反馈/内置650V 功率MOSFET
自动补偿输入电压.电感感量变化,实现高精度
多模式PSR 控制提高可靠性和效率
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
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: 开关电源芯片U6113

±3%LED恒流精度
恒流输出值可调
1%线电压补偿精度
优异地保护功能
过温保护（OTP）
逐周期过流保护（OCP
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: 开关电源芯片U6112

内置650V MOSFET。
LED开路/短路保护。
内置线输入电压恒流补偿。
工作电流，4%恒流精底。
内置快速启动电路，启动电流，管脚浮空保护。
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: 12V 1A能效六级方案

效率满足六级能效要求。
内置频率抖动EMI。
内置高低压过流补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
内置专利的线损补偿,提高量产精度。
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: 原边18W开关电源芯片 U6217S

原边反馈/内置MOSFET
内置环路补偿，省去额外的补偿或滤波电容
提高系统效率优化降频曲线和减小电磁干扰，可实现轻载无异音
多模（Multi-Mode）控制的高精度原边反馈控制（PSR）恒流恒压（CC/CV）控制器
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: PFC肖特基 PTR20V100CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
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: PFC肖特基 PTR20100CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PTR20100CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFR2045CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 P15V50SP

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFR10L300CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFS10L60CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFS10L60

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PTS5L100

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

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