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: 原边5W开关电源芯片 SF6072

原边反馈/内置三极管
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
支持高50V输出电压
?内置专利的线损电压补偿，提高量产精度
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
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: 原边5W开关电源芯片 SF6010N

原边反馈/外驱三极管
支持高50V输出电压
内置专利的线损电压补偿，提高量产精度
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
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: 原边15W开关电源芯片 SF5928S

专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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: 原边9W开关电源芯片 SF5926S

专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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: 原边6W开关电源芯片 SF5922S

专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
小于±5%恒压恒流高精度
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
内置专利的线损电压补偿
自动补偿输入电压、电感感量变化，实现高精度
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护
原边反馈/内置MOSFET,输出过压保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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: 副边150W开关电源芯片 SF1565

频率可外部编程，并内置频率抖动EMI
副边反馈/外驱MOSFET,启动电流
管脚浮空保护
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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: 副边150W开关电源芯片 SF1560

频率可外部编程，并内置频率抖动EMI
副边反馈/外驱MOSFET,启动电流
管脚浮空保护
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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: 副边150W开关电源芯片 SF5897

满足六级能效
副边反馈/外驱MOSFET,内置软启动
输出过压保护（OVP）电压可外部编程
内置拔插头锁存(latch plugoff)保护
管脚浮空保护
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
VDD欠压保护（UVLO），过压保护及钳位
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: 副边70W开关电源芯片 SF5887

副边反馈/外驱MOSFET,内置软启动
效率满足六级能效
输出过压保护（OVP）电压可外部编程
外部编程过温（OTP）保护
内置拔插头锁存(latch plugoff)保护
管脚浮空保护
启动电流
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
内置前沿消隐
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: 副边50W开关电源芯片 SF1530

副边反馈/外驱MOSFET,管脚浮空保护
系统频率可编程，并内置频率抖动EMI
内置同步斜率补偿
逐周期电流限制，内置前沿消隐
内置高低压过流补偿实现全电压平坦OCP曲线
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: 副边25W开关电源芯片 SF5930

专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒压恒流精度
快速动态响应，大小减小输出纹波
支持输出电压大小50V
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
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: 副边25W开关电源芯片 SF5920

专利的“NC-Cap/PSR-II?”控制技术
“多模式PSR”控制提高可靠性和效率
±5%恒压恒流精度
快速动态响应，大小减小输出纹波
支持输出电压大小50V
原边反馈（PSR）控制，无需光耦和TL431
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: 原边10W开关电源芯片 U6117SA

原边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
低待机功耗小于70mW
内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
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: PFC肖特基 P10V45SP

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PTR20L80CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFS5A60

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PFR20L200CT

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
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: PFC肖特基 PTR30L80CT

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: PFC肖特基 PFR10L200CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
更多 +

: PFC肖特基 PTR30L80CTF

在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开
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