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U6271S电源管理芯片IC
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集成 650V MOSFET
多模式原边控制方式
优化的动态响应
集成线电压和负载电压的恒流补偿
封装形式 SOP-8
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U6605D开关电源芯片
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集成 650V MOSFET
±4% 恒流、恒压精度
待机功耗<70mW
多模式原边控制方式
工作无异音
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U6111电源管理IC芯片
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内部集成550V高压MOSFET
±4% 恒流精度
VDD 工作电流
无需辅助绕组
集成式高压电流源提高启动速度
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原边20W开关电源芯片 U6116
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原边反馈/外驱MOSFET
恒流控制支持CCM和DCM模式
自动补偿输入电压.电感感量变化
±5%恒压恒流精度, 快速动态响应控制
待机功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作频率
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N沟道低压MOS管AP6242 DFN2*2封装
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P负载开关
N沟道低压MOS管
阻抗值较小
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低压MOS场效应管AP9926 双NMOS SOP-8封装
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双N通道超高密度电池设计MOS管
适用极低Ros(on)
高功率和电流处理能力
阻抗值较小
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低压N沟道MOS管AP83T03K TO-252封装
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N沟道MOS
Lnw导通电阻
硅工艺技术
快速切换性能
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P沟道MOS场效应管AP15P03Q DFN3*3
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P沟道功率
极低的EDS(ON)
快速开关
阻抗值较小
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低压MOS管AP75N04K N沟道to-252
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N通道增强模式
便携式设备负载开关
良好的活性氧
阻抗值较小
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AP120N03K低压MOSTO-252封装
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N沟道MOS管
Lnw导通电阻
快速切换
阻抗值较小
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AP3407增强型低压功率低压MOS管SOT23封装
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P沟道功率
便携式设备负载开关
阻抗值较小
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低压MOS场效应管AP2080KTO-252封装
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2.5V门禁驱动
便携式设备负载开关
体积小,活性氧含量极低
阻抗值较小
符合RoSH和无卤
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锂电池保护板低压MOSAP8810 双N沟道 SOP-8封装
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P负载开关
便携式设备负载开关
直流/直流转换器
阻抗值较小
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低压MOS管场效应管AP3010 SOP-8封装 N沟道MOS管现货供应
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SOP-8封装
较小的导通电阻RDS(on)
低栅极电荷,栅极工作电压低
适用于保护电路,开关电路
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低压MOS管 AP8205A TSSOP8
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双N沟道TSSOP8薄体,密脚的
较小的导通电阻RDS(on)
低栅极电荷,栅极工作电压低2.5V
适用于保护电路,开关电路
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低压MOS管 AP3401 SOT23
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SOT23-3塑料封装P道金属氧化物半导体场效应管,P沟道功率MOSFET
适用于作负载开关或脉宽调制应用
阻抗值较低
VDS(V)=-30V ID=-4.2A(VGS=-10V) RDS(ON)<50mΩ(VGS=-10V) RDS(ON)<65mΩ(VGS=-4.5V) RDS(ON)<85mΩ(VGS=-2.5V
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低压MOS管 AP2302 SOT23
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P负载开关
便携式设备负载开关
直流/直流转换器
阻抗值较小
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低压MOS管 AP2300 SOT23
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低导通电阻150°C操作温度
沟槽加工技术,实现极低的通电阻
低导通电阻
快速切换
无铅,符合RoHS要求
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低压MOS AP8205 SOT23-6封装
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采用的沟槽技术
提供较小的导通电阻RDS(on)
低栅极电荷
栅极电压低于2.5V
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5V2.4A同步整流芯片TB8521
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●工作在非连续模式(DCM)的次级同步整流控制器
●内部集成高性能N 沟道 MOSFE
●超快速开管能力的驱动电路
●启动及静态工作电流