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PFC肖特基 PFR2060CTF
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
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PFC肖特基 PTR20100CTB
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
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PFC肖特基 PTR20L100CT
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
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PFC肖特基 PT20L100D
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
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PFC肖特基 PFR20V45CT
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
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PFC肖特基 PFS5L200
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
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PFC肖特基 PFS5L150
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
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PFC肖特基 PTR10100CTB
更多 +
在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
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PFC肖特基 PFS5L40
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在相同的VR、IR和晶片尺寸下，VF较低
在相同的額定VR、VF和IF下，电流密度较大
在相同的EPI和晶片尺寸下，漏电电流较少
在较高的反向电压下，开关速度更快
- [公司新闻]集成高压供电电路快充同步整流ic U77152024年10月18日 14:42
- 集成度的提高和微电子制造技术的进步使得同步整流ic在保持甚至提升性能的同时，体积也在不断缩小，这为各种紧凑型电源设计提供了更多可能。另外，智能控制技术的应用，如基于AI的负载适应技术，将使同步整流ic能够根据负载的实时变化动态调整工作状态，进一步提升了系统的整体效率和适应性。 深圳银联宝科技的同步整流ic U7715，是一款带快速关断功能的高性能副边同步整流功率开关，可以替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7715内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上
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- [公司新闻]同步整流ic U7613电源方案怎么搭都好用2024年09月25日 15:17
- 同步整流电路靠性高，可控性好。在低压大电流趋势下，同步整流驱动芯片被市场一致看好。深圳银联宝同步整流icU7613是一款带快速关断功能的高性能副边同步整流功率开关，可以在系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。 ■IC 的启动和关机 在VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON(典型值4.5V)之前，同步整流icU7613处于关机状态。内部Gate智能钳位电路可以保证内置MOSFET不会发生高dv/dt导致的误开通。当VDD电压达到VDD_ON之后，芯片启动，内部控制电路开
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- [公司新闻]60V MOSFET PD快充应用同步整流ic U7612B2024年09月05日 10:09
- 同步整流技术采用导阻更低的MOSFET来替代传统的肖特基二极管，从而大幅降低了整流电路的损耗。不仅提高了电源的整体效率，还满足了当今高功率快充技术对于体积方面的严苛要求。深圳银联宝科技的这一款PD快充应用同步整流icU7612B，带快速关断功能，可以替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7612B内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支持High Side和Low Side配置，兼顾了系统性能和成本。 同步整流icU7612B主要特点： ●内置 60V
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- [公司新闻]U7611X系列同步整流芯片产品效率明显提升2024年08月07日 15:18
- 同步整流芯片的原理是利用MOSFET管作为开关，控制输出电压的变化。在MOSFET管导通时，能量从输入端流向负载，同时输出电压上升；在MOSFET管截止时，负载上的电流会产生电感反向电势，反向电势会将能量反馈到输入端，从而提高整个系统的效率。 U7611X系列同步整流芯片是一款带快速关断功能的高性能副边同步整流功率开关，可以替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7611X 内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支持High Side和Low Side配置
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- [公司新闻]侧重于PSR GAN的60V同步整流芯片U7613X2024年07月26日 14:48
- 同步整流芯片U7613X侧重于PSR GAN，有U7613A、U7613B、U7613C三个型号，推荐输出电压3~12V，输出电流3A，是一款带快速关断功能的高性能副边同步整流功率开关，可以替代肖特基整流二极管以提高系统效率。 同步整流芯片U7613X主要特性： 内置 60V MOSFET 支持断续工作模式（DCM）、准谐振工作模式（QR）和连续工作模式（CCM） 集成高压供电电路，无需VDD辅助绕组供电 支持输出低至0V，同步整流可靠工作 支持 High Side 和 Lo
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- [公司新闻]负端同步整流IC U7710可靠且高效2024年07月24日 10:29
- 随着电子技术的迅速发展，以及各种微处理器、IC芯片和数字信号处理器的普及应用，使低电压大电流输出变换器的研究成为十分重要的课题之一。在低电压大电流输出的情况下，使用一般的二极管整流，整流损耗占了变换器总损耗的一半以上，很难达到高效率。使用同步整流技术则可以较大地减少整流损耗，从而提高变换器的效率。可以试试银联宝科技隆重推出的负端同步整流ICU7710，可靠且高效！ 负端同步整流IC U7710是一款用于替代Flyback副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功
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- [公司新闻]低耗、设计合理的正负端同步整流芯片U77122024年07月15日 10:14
- 肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。既如此，还不快点来深圳银联宝科技挑选一颗合适您的同步整流芯片？！ 正负端同步整流芯片U7712是一款用于替代Flyback副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效
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- [公司新闻]30~45W高频率快充应用同步整流ic U7110W2024年07月08日 14:54
- 在大多数降压调节器的典型应用中，使用有源开关而非肖特基二极管是标准做法。这样能大大提高转换效率，尤其是产生低输出电压时。在需要电流隔离的应用中，也可使用同步整流来提高转换效率。推荐使用深圳银联宝最新推出的30~45W高频率快充应用同步整流ic——U7110W！ 同步整流icU7110W是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。U7110W内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支
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- [公司新闻]电源设计 不如考虑下正负端同步整流芯片U77122024年05月17日 15:22
- 肖特基整流管可以看成一条建在泥土上没有铺水泥的灌溉用的水道，从源头下来的水源在中途渗漏了很多，十方水可能只有七、八方到了农田里面。而同步整流技术就如同一条镶嵌了光滑瓷砖的引水通道，除了一点点被太阳晒掉的损失外，十方水能有9.5方以上的水真正用于浇灌那些我们日日赖以生存的粮食。既如此，还不快点来深圳银联宝科技挑选一颗合适您的同步整流芯片？！ 正负端同步整流芯片U7712是一款用于替代Flyback副边肖特基二极管的高性能同步整流开关，内置超低导通阻抗功率MOSFET以提升系统效
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- [公司新闻]30W快充应用采用U7116同步整流芯片 快、准、稳！2024年05月08日 14:57
- U7116同步整流芯片极简的外围和贴片封装特别适合高功率密度应用，如手机快速充电器，适配器，小体积电源等，是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率。 U7116同步整流芯片内置有VDD高压供电模块，无需辅助绕组供电可稳定工作，系统上支持High Side和Low Side配置，兼顾了系统性能和成本。U7116的快速关断功能可以帮助功率器件获得较低的电压应力，可支持断续工作模式(DCM)、准谐振工作模式(QR)及连续工作模式
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- [公司新闻]同步整流芯片U7612详细功能干货分享2024年04月23日 15:31
- 同步整流芯片U7612内部集成有智能开通检测功能，可以有效防止反激电路中由于寄生参数振荡引起的同步整流开关误开通，提高了系统效率及可靠性，是一款高频率、高性能、CCM同步整流开关，可以在GaN系统中替代肖特基整流二极管以提高系统效率！ ▲IC 的启动和关机 在VDD电压上升到VDD开启电压VDD_ON (典型值4.5V)之前，同步整流芯片U7612处于关机状态。内部Gate 智能钳位电路可以保证内置MOSFET不会发生高dv/dt导致的误开通。当VDD电压达到 VDD_ON之
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