- [行业新闻][银联宝推荐]开关电源芯片基本功能2017年06月02日 11:06
- 银联宝开关电源芯片SF6773V为PFM控制模式，为了保证输出电压精度，芯片内部误差放大器（EA）的gain设计为FB电压变化1%，开关频率变化范围约为1KHz到50KHz，因此FB采样电压精度直接影响输出频率的稳定性。
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- [公司新闻]银联宝科技乒乓球赛,团队协作,友谊传递！2017年06月01日 11:23
- 2017年5月31日，银联宝科技员工在传统端午佳节休息三天后，举行公司全体员工乒乓球赛活动。公司员工抽签分为A组和B组团体赛，男单和女单单人赛二个奖项。图为二组之间队员为各自团队奋力拼杀，你来我往，互不相让，努力打好每一个球！
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- [行业新闻]银联宝科技开关电源芯片在开关电源中的作用2017年05月23日 16:21
- 开关电源就是利用电子开关器件如晶体管、场效应管、可控硅闸流管等，通过控制电路，使电子开关器件不停地“接通”和“关断”，让电子开关器件对输入电压进行脉冲调制，从而实现DC/AC、DC/DC电压变换，以及输出电压可调和自动稳压。开关电源一般由脉冲宽度调制开关电源芯片（PWM）控制IC和MOSFET构成。开关电源芯片是指开关电源的脉宽控制集成电源靠它来调整输出电压电流的稳定。
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- [行业新闻]银联宝科技开关电源芯片方案U62152017年05月19日 14:32
- 银联宝科技的 U6215是一款工作交流电压输入的离线式AC/AD控制芯片，适用于充电器、电源适配器及LED照明，U6215在反激拓扑电源结构中工作于不连续模式（DCM），并且只需要很少的外围器件就能实现非常精确的原边控制，而且应用方案达到了全球节能标准。
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- [行业新闻]常用AC-DC电源芯片2017年05月10日 14:55
- 银联宝科技SF6773V内置软启动功能来减缓功率MOS开启时的电压应力，在轻载情况下，控制器通过降低开关频率来很好的调节和提率，在空载情况下，满足待机功耗在70mW以内。当输出短路时，控制器可以使开关频率箝位在16KHz，能够提高系统的可靠性。
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- [行业新闻]原边反馈AC/DC控制芯片U62152017年05月09日 14:45
- U6215是QR-PSR控制，专利的“恒压平坦化”技术和OCP补偿实现±4%恒压恒流高精度，是待机功耗准谐振原边控制器；内置700V功率三极管，U6215为原边反馈工作模式，专利的“零电压带载启动”可实现芯片空载损耗。NC-Cap/PSR-II取得优良的EMI，无异音技术有效降低异音，该芯片提供了的智能保护功能，内置欠压保护、过压保护、输出过压保护、及输出短路保护等。
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- [常见问题]LED驱动电源未来将会是怎样?2017年05月08日 14:07
- “绿色环保”这一概念在全球范围内已经深入人心，显然，电源IC技术在提高产品功率效率方面发挥着重要的作用。深圳市银联宝科技（ELANPO）无论是产品效能，还是服务质量，都众口皆碑。
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- [行业新闻]银联宝科技绿色电源管理芯片U61162017年05月06日 11:07
- 银联宝科技为客户提供高能效、低功耗、品质稳定的集成电源管理芯片，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务. 提供中小功率12V1.5A方案芯片U6116
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- [公司新闻]银联宝科技绿色节能电源管理芯片2017年05月04日 15:42
- 银联宝科技为客户提供高能效、低功耗、品质稳定的集成电源管理芯片，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务. 提供小功率5V1A开关电源方案芯片U6215
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- [公司新闻]银联宝科技低成本电源管理芯片2017年05月04日 14:16
- 银联宝科技为客户提供高能效、低功耗、品质稳定的集成电源管理芯片，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务. 提供中小功率19V3.42A超薄型笔记本方案芯片U6201
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- [行业新闻]银联宝科技“芯片”注册微信小程序2017年05月03日 11:07
- 银联宝科技专注电源管理芯片研发销售，开关电源AC/DC转换控制芯片获得多项应用型设计专利。结合互联网+传统企业营销策略，以用户为导向产品转型升级研发精品芯片根据客户需求定制IC型号，取得广大客户的信赖！
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- [公司新闻]各功率段AC-DC电源IC、充电IC、适配器方案2017年04月25日 14:41
- 银联宝科技是一家从芯片研发和方案设计的IC设计公司。公司资深研发团队将业界的设计技术本土优势产业链相结合，为客户提供效率高、低功耗、低风险、低成本、绿色化的产品方案和服务。助力于充电器、适配器、照明等产业的发展。
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- [常见问题]LED驱动芯片有哪五大调试技术？2017年03月03日 09:14
- 这主要针对内置电源调制器的高压驱动芯片。假如芯片消耗的电流为2mA，300V的电压加在芯片上面，芯片的功耗为0。6W，当然会引起芯片的发热。驱动芯片的大电流来自于驱动功率mos管的消耗，简单的计算公式为I=cvf(考虑充电的电阻效益，实际I=2cvf)，其中c为功率MOS管的cgs电容，v为功率管导通时的gate电压，所以为了降低芯片的功耗，想办法降低c、v和f。如果c、v和f不能改变，那么请想办法将芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入额外的功耗。再简单一点，就是考虑更好的散热吧。
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