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低压MOS场效应管AP9926 双NMOS SOP-8封装
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双N通道超高密度电池设计MOS管
适用极低Ros（on）
高功率和电流处理能力
阻抗值较小
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低压N沟道MOS管AP83T03K TO-252封装
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N沟道MOS
Lnw导通电阻
硅工艺技术
快速切换性能
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P沟道MOS场效应管AP15P03Q DFN3*3
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P沟道功率
极低的EDS（ON）
快速开关
阻抗值较小
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低压MOS管AP75N04K N沟道to-252
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N通道增强模式
便携式设备负载开关
良好的活性氧
阻抗值较小
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AP120N03K低压MOSTO-252封装
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N沟道MOS管
Lnw导通电阻
快速切换
阻抗值较小
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AP3407增强型低压功率低压MOS管SOT23封装
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P沟道功率
便携式设备负载开关
阻抗值较小
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低压MOS场效应管AP2080KTO-252封装
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2.5V门禁驱动
便携式设备负载开关
体积小，活性氧含量极低
阻抗值较小
符合RoSH和无卤
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锂电池保护板低压MOSAP8810 双N沟道 SOP-8封装
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P负载开关
便携式设备负载开关
直流/直流转换器
阻抗值较小
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低压MOS管场效应管AP3010 SOP-8封装 N沟道MOS管现货供应
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SOP-8封装
较小的导通电阻RDS（on）
低栅极电荷，栅极工作电压低
适用于保护电路，开关电路
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低压MOS管 AP8205A TSSOP8
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双N沟道TSSOP8薄体，密脚的
较小的导通电阻RDS（on）
低栅极电荷，栅极工作电压低2.5V
适用于保护电路，开关电路
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低压MOS管 AP3401 SOT23
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SOT23-3塑料封装P道金属氧化物半导体场效应管，P沟道功率MOSFET
适用于作负载开关或脉宽调制应用
阻抗值较低
VDS（V）=-30V ID=-4.2A（VGS=-10V） RDS(ON)＜50mΩ（VGS=-10V） RDS(ON)＜65mΩ（VGS=-4.5V） RDS(ON)＜85mΩ（VGS=-2.5V
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低压MOS管 AP2302 SOT23
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P负载开关
便携式设备负载开关
直流/直流转换器
阻抗值较小
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低压MOS管 AP2300 SOT23
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低导通电阻150°C操作温度
沟槽加工技术，实现极低的通电阻
低导通电阻
快速切换
无铅，符合RoHS要求
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低压MOS AP8205 SOT23-6封装
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采用的沟槽技术
提供较小的导通电阻RDS（on）
低栅极电荷
栅极电压低于2.5V
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5V2.4A同步整流芯片TB8521
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●工作在非连续模式(DCM)的次级同步整流控制器
●内部集成高性能N 沟道 MOSFE
●超快速开管能力的驱动电路
●启动及静态工作电流
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5V2A同步整流芯片TB8520
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●工作在非连续模式(DCM)的次级同步整流控制器
●内部集成高性能N 沟道 MOSFE
●超快速开管能力的驱动电路
●启动及静态工作电流
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60W系列 12V5A六级能效方案
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恒流控制支持CCM和DCM模式
自动补偿输入电压.电感感量变化
±5％恒压恒流精度, 快速动态响应控制
副边反馈/外驱MOSFET,待机功耗小于75Mw
65KHZ 固定工作频率
启动电流
逐周期电流限制,
内置斜率补偿
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12W系列 12V1A能效六级方案
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效率满足六级能效要求
低待机功耗小于75mW
原边反馈,内置600V 功率MOSFET
QR-PSR控制提高工作效率
±4％恒压恒流精度，多模式PSR控制
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10W系列 5V2A六级能效方案
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QR-PSR控制提高工作效率。
±4% 的恒流恒压精度,PSR控制模式。
系统效率满足 ‘DoE六级能效’ Tier2 要求,待机＜75mW。
原边反馈/内置三极管,内置专利的线损电压补偿。
内置软启动，启动电流，管脚浮空保护。
VDD欠压保护，VDD过压保护及钳位。
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10W系列 5V2A能效六级方案
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原边反馈/内置MOSFET
效率满足六级能效要求
低待机功耗小于75mW
内置600V 功率MOSFET
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